本文關(guān)鍵詞： 鐵電存儲單元 鐵電存儲器 單粒子翻轉(zhuǎn) 電路仿真　出處：《微電子學與計算機》2015年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用電路仿真的方法對鐵電存儲單元中不同電路節(jié)點的單粒子效應(yīng)敏感性進行了研究,分析了鐵電存儲單元發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)的機理.仿真結(jié)果表明,鐵電存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)與鐵電電容的極化狀態(tài)有關(guān).當單粒子入射陣列中截止態(tài)NMOS管時,只會造成存"0"鐵電電容的極化翻轉(zhuǎn);板線上的單粒子瞬態(tài)脈沖對存儲數(shù)據(jù)無影響.根據(jù)2T2C和1T1C型鐵電存儲單元的讀出方式,分別分析了可能發(fā)生的數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)類型.提出了鐵電存儲單元抗單粒子翻轉(zhuǎn)的加固措施.
[Abstract]:The sensitivity of single particle effect of different circuit nodes in ferroelectric memory cell is studied by circuit simulation, and the mechanism of single particle flip in ferroelectric memory cell is analyzed. The simulation results show that, The single-particle flip effect of the ferroelectric memory cell is related to the polarization state of the ferroelectric capacitance. When the cutoff state of the NMOS transistor in the single-particle incident array is cut off, the polarization flip of the "0" ferroelectric capacitance is only caused. The single particle transient pulse on the plate line has no effect on the storage data. According to the readout modes of 2T2C and 1T1C ferroelectric storage cells, the possible data turnover types are analyzed, and the reinforcement measures against single particle flipping of ferroelectric storage cells are put forward.
【作者單位】： 電子科技大學微電子與固體電子學院 電子薄膜與集成器件國家重點實驗室;
【分類號】：TP333

【共引文獻】

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本文編號：1538264