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1. InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱質(zhì)子輻照損傷機(jī)理

2. 摻雜構(gòu)型設(shè)計(jì)對(duì)InPBi電子結(jié)構(gòu)的影響研究

3. As壓調(diào)制的InAlAs超晶格對(duì)InAs納米結(jié)構(gòu)光學(xué)特性的影響

4. 外場(chǎng)對(duì)InPBi量子阱中激子結(jié)合能的影響

5. 氣源分子束外延生長(zhǎng)的InPBi薄膜材料中的深能級(jí)中心

6. 外場(chǎng)對(duì)InPBi低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中激子態(tài)的影響