本文關(guān)鍵詞：氣源分子束外延生長的InPBi薄膜材料中的深能級中心

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【摘要】：利用深能級瞬態(tài)譜(DLTS)研究了氣源分子束外延(GSMBE)生長的InP1-xBix材料中深能級中心的性質(zhì)。在未有意摻雜的InP中測量到一個多數(shù)載流子深能級中心E1,E1的能級位置為Ec-0.38 e V,俘獲截面為1.87×10~(-15)cm~2。在未有意摻雜的InP0.9751Bi0.0249中測量到一個少數(shù)載流子深能級中心H1,H1的能級位置為Ev+0.31 eV,俘獲截面為2.87×10~(-17)cm~2。深中心E1應(yīng)該起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能來源于形成的Bi原子對或者更復(fù)雜的與Bi相關(guān)的團(tuán)簇。明確這些缺陷的起源對于InPBi材料在器件應(yīng)用方面具有重要的意義。
【作者單位】： 山東省激光偏光與信息技術(shù)重點(diǎn)實驗室曲阜師范大學(xué)物理工程學(xué)院;中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點(diǎn)實驗室;
【關(guān)鍵詞】： InPBi 深中心 深能級瞬態(tài)譜(DLTS) 氣源分子束外延(GSMBE)
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61176065,61205055) 山東省自然科學(xué)基金(ZR2014FM011) 信息功能材料國家重點(diǎn)實驗室開放課題(SKL201307)資助項目
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： 1引言半導(dǎo)體光電子器件材料以高質(zhì)量、低成本為目標(biāo),材料中的雜質(zhì)和缺陷對半導(dǎo)體器件的性能有重要影響。隨著對材料的結(jié)構(gòu)、力學(xué)、化學(xué)和電學(xué)特性的深入研究,其缺陷控制、雜質(zhì)行為、雜質(zhì)與缺陷相互作用將是需要進(jìn)行深入研究的很重要的方面。深能級缺陷的研究是一個比較復(fù)雜的，

本文編號：1078928