本文關鍵詞：As壓調制的InAlAs超晶格對InAs納米結構光學特性的影響　出處：《西南大學學報(自然科學版)》2017年03期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：利用固源分子束外延(MBE)設備生長出InAs/InAlAs/InP(001)納米結構材料,探討了As壓調制的InAlAs超晶格對InAs納米結構光學特性的影響.結果表明,As壓調制的InAlAs超晶格能有效地調整InAs納米結構的形貌特性、發(fā)光峰位,改善發(fā)光線寬,提高輻射效率,從而有利于其在長波長光電器件方面的應用.
[Abstract]:InAs- / InAlAs-InPn001) nanostructured materials were grown by solid source molecular beam epitaxy (MBE) equipment. The effects of as modulated InAlAs superlattices on the optical properties of InAs nanostructures were investigated. As modulated InAlAs superlattice can effectively adjust the morphology of InAs nanostructures, luminescence peak position, improve the luminescence linewidth, improve the radiation efficiency. It is beneficial to its application in long wavelength optoelectronic devices.
【作者單位】： 邯鄲學院機電學院;中國科學院半導體研究所半導體材料重點實驗室;西南大學物理科學與技術學院;
【基金】：國家自然科學基金(60990315) 國家重點基礎研究發(fā)展規(guī)劃項目(2006CB604904) 河北省科學技術研究與發(fā)展指導項目(Z2010112) 河北省科技支撐計劃項目(10213936;10213938) 邯鄲學院博士科研啟動經(jīng)費項目(2009002)
【分類號】：O47
【正文快照】： 1.3~1.55μm波段對應著石英玻璃光纖的低色散低損耗窗口,這一波段的激光器和探測器是光纖通訊系統(tǒng)最核心的光電子器件.而目前光纖通訊中使用的1.55μm光電子器件仍主要為InGaAsP/InP量子阱激光器,由于InGaAsP/InP的導帶帶階小,使其器件溫度特性較差,為改善其溫度特性所需的工

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1 顧溢;王凱;李成;方祥;曹遠迎;張永剛;;采用InGaAs或InAlAs緩沖層的高In組分InGaAs探測器結構材料特性(英文)[J];紅外與毫米波學報;2011年06期

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本文編號：1372234