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71. 4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的單粒子燒毀效應(yīng)
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72. 氮化硼納米管多級(jí)增強(qiáng)SiC f /SiC復(fù)合材料制備、結(jié)構(gòu)及性能研究
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73. LPCVD法制備3C-SiC及3C-SiC納米線特性研究
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74. SiC_f/SiC復(fù)合材料與GH188高溫合金的釬焊工藝及機(jī)理研究
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75. KD-II型SiC纖維增強(qiáng)SiC基復(fù)合材料性能調(diào)控及構(gòu)件制備
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76. SiC顆粒-SiC晶須混雜填料/雙馬來(lái)酰亞胺樹脂導(dǎo)熱復(fù)合材料的制備與性能
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77. 低濃度SiC粉體漿料的分散性和穩(wěn)定性研究及其對(duì)SiC膜性能的影響
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78. 考慮界面層和孔隙的SiC f /SiC m 復(fù)合材料熱膨脹性能研究
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79. SiC含量對(duì)激光熔覆SiC/Ni60A復(fù)合涂層顯微組織和耐磨性能的影響
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80. 平紋布和斜紋布鋪層結(jié)構(gòu)對(duì)SiC f /SiC過(guò)濾材料性能的影響
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