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61. 埋柵4H-SiC靜電感應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化和特性研究
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62. 基于4H-SiC PiN的橋式整流器關(guān)鍵工藝與高溫特性研究
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63. 退火條件對(duì)4H-SiC/SiO2 MOS電容特性的影響研究
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64. Si 2+ /He + 離子輻照對(duì)單晶4H-SiC力學(xué)性能的影響
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65. Al 2 O 3 /4H-SiC MOS結(jié)構(gòu)制備及相關(guān)性能研究
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66. 4H-SiC肖特基結(jié)紫外探測(cè)器的性能及可靠性研究
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67. 超高壓4H-SiC p-IGBT器件材料CVD外延生長(zhǎng)
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68. 4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的單粒子燒毀效應(yīng)
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69. 4H-SiC MOS電容柵介質(zhì)經(jīng)NO退火電流導(dǎo)通機(jī)理研究
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70. 一種4H-SiC基MIS SBD高溫氣敏傳感器的研究
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