【摘要】：本文對進行NO退火和非NO退火的SiC MOS電容的柵泄漏電流的導通機理進行了分析,研究表明在高場下經(jīng)過NO退火和未經(jīng)過NO退火的樣品的柵泄露電流都由Fowler-Nordheim(FN)隧穿決定,經(jīng)過NO退火的勢壘高度為2.67eV,而未經(jīng)過NO退火的樣品勢壘高度為2.54eV,勢壘高度的增加說明了氮化的作用.在中度電場區(qū)域,通過擬合分析發(fā)現(xiàn)此區(qū)域的柵泄漏電流主要由Poole-Frenkel發(fā)射(PF)決定,并不受陷阱輔助隧穿trap assisted tunneling(TAT)的影響.同時C-V特性也明顯看出NO退火對界面質(zhì)量的影響.
[Abstract]:In this paper, the conduction mechanism of gate leakage current of SiC MOS capacitor annealed by NO and non-NO annealing is analyzed. It is shown that the gate leakage current of samples annealed by NO and not annealed by NO in high field is determined by Fowler-Nordheim (FN) tunneling. The barrier height of the sample annealed by NO is 2.67 EV, while that of the sample without NO annealing is 2.54 EV. The increase of the barrier height indicates the effect of nitridation. In the middle electric field region, it is found that the gate leakage current in this region is mainly determined by Poole-Frenkel emission (PF), and is not affected by trap assisted tunneling (TAT). At the same time, the influence of NO annealing on the interface quality is also obvious.
【作者單位】： 西安電子科技大學微電子學院;
【基金】：國家自然科學基金青年基金資助項目(JJ0500142501);國家自然科學基金重點資助項目(JJ0200122502)
【分類號】：TN386

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 石立春;;工作在動態(tài)閾值MOS的特性研究[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2006年23期

2 畢津順,海潮和,韓鄭生;SOI動態(tài)閾值MOS研究進展[J];電子器件;2005年03期

3 王文騏,池懿,李長生;用積累型MOS變?nèi)莨軐崿F(xiàn)的2.4GHz0.25μm CMOS全集成壓控振蕩器[J];微波學報;2005年S1期

4 劉云峰,陳國平,張浩康;Ta_2O_5薄膜MOS型濕敏元件的機理研究[J];電子學報;1998年05期

5 秦祖新,劉三清;MOS型硅功率器件的發(fā)展[J];微電子學;1991年06期

6 弓小武,樊昌信,劉玉書;一種新型 MOS 控制功率器件[J];電力電子技術(shù);1997年02期

7 叐支唐;揭斌斌;;雙極場引晶體管:Ⅰ.電化電流理論(雙MOS柵純基)(英文)[J];半導體學報;2007年11期

8 董敏周;王建華;孫力;閆杰;;基于MOS電阻陣的紅外目標模擬生成系統(tǒng)[J];紅外與激光工程;2008年03期

9 劉文安,黃如,張興;亞100納米MOS半導體器件技術(shù)探討[J];世界產(chǎn)品與技術(shù);2003年09期

10 王小紅;張潔;劉建華;;不同驅(qū)動受MOS極間電容影響的研究[J];電子世界;2011年08期

相關(guān)碩士學位論文 前4條

1 王微;基于超薄虛擬襯底上的應變MOS的研究[D];電子科技大學;2013年

2 王大睿;基于電壓降低的IO級聯(lián)MOS的ESD結(jié)構(gòu)壓縮研究和設(shè)計[D];上海交通大學;2007年

3 朱厚存;基于MOS電阻陣列的紅外圖像實時生成系統(tǒng)研究[D];哈爾濱工業(yè)大學;2010年

4 張博;基于高壓MOS功率器件的高壓集成電路的研究[D];西安電子科技大學;2008年

，

本文編號：2281849