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651. Ge摻雜GaN晶體雙光子誘導超快載流子動力學的飛秒瞬態(tài)吸收光譜研究
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652. 基于60nmT型柵f T ＆f max 為170＆210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文）
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653. 高性能X波段增強型凹柵Al 2 O 3 /AlGaN/GaN MIS-HEMT
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654. ADI收購寬帶GaAs和GaN放大器專業(yè)公司OneTree Microdevices打造完整的電纜基礎設施解決方案
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655. U型槽刻蝕工藝對GaN垂直溝槽型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管電學特性的影響
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656. 纖鋅礦In x Ga 1-x N/GaN核殼量子點中類氫雜質態(tài)的光吸收性質
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657. 具有高開啟/關斷電流比的Al 2 O 3 /AlGaN/GaN金屬氧化物半導體高電子遷移率晶體管（英文）
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