基于藍(lán)寶石襯底InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)材料研制具有高電流增益截止頻率（f_T）和最大振蕩頻率(f_max)的InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HFETs）.基于再生長(zhǎng)n+GaN歐姆接觸工藝實(shí)現(xiàn)了器件尺寸的縮小,有效源漏間距（Lsd）縮小至600nm.此外,采用自對(duì)準(zhǔn)柵工藝制備60nmT型柵.由于器件尺寸的縮小,在Vgs=1V時(shí),器件最大飽和電流（Ids）達(dá)到1.89A/mm,峰值跨導(dǎo)達(dá)到462mS/mm.根據(jù)小信號(hào)測(cè)試結(jié)果,外推得到器件的f_T和f_max分別為170GHz和210GHz,該頻率特性為國(guó)內(nèi)InAlN/GaNHFETs器件頻率的最高值. 

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【文章目錄】：
Introduction
1 Experiments
2 Results and discussion
3 Conclusions


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]70-nm-gated InAlN/GaN HEMTs grown on SiC substrate with fT/fmax＞160GHz[J]. 韓婷婷,敦少博,呂元杰,顧國(guó)棟,宋旭波,王元?jiǎng)?徐鵬,馮志紅.  Journal of Semiconductors. 2016(02)



本文編號(hào)：3697927