本文利用飛秒瞬態(tài)吸收光譜技術(shù),在近紅外波段對Ge摻雜GaN（GaN:Ge）晶體進(jìn)行了超快載流子動力學(xué)研究.在雙光子激發(fā)下,瞬態(tài)吸收動力學(xué)呈現(xiàn)出雙指數(shù)衰減,其中慢過程壽命隨著泵浦光強(qiáng)增加而增加.瞬態(tài)吸收響應(yīng)隨著探測波長而單調(diào)增強(qiáng),并在約1050nm處由空穴吸收占據(jù)主導(dǎo).利用簡化模型模擬載流子動力學(xué)發(fā)現(xiàn),GaN:Ge中碳雜質(zhì)形成的深受主能級對空穴有很強(qiáng)的俘獲能力,并且引起了缺陷發(fā)光.在較適中的載流子注入下,n型GaN中的載流子壽命可以通過控制缺陷濃度和載流子濃度來共同調(diào)控,使其可應(yīng)用于發(fā)光二極管和光通信等不同的領(lǐng)域. 

【文章來源】：物理學(xué)報. 2020,69(16)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁


本文編號：3400671