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651. Ge摻雜GaN晶體雙光子誘導(dǎo)超快載流子動力學(xué)的飛秒瞬態(tài)吸收光譜研究
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652. 基于60nmT型柵f T ＆f max 為170＆210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文）
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653. 高性能X波段增強(qiáng)型凹柵Al 2 O 3 /AlGaN/GaN MIS-HEMT
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654. ADI收購寬帶GaAs和GaN放大器專業(yè)公司OneTree Microdevices打造完整的電纜基礎(chǔ)設(shè)施解決方案
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655. U型槽刻蝕工藝對GaN垂直溝槽型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管電學(xué)特性的影響
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656. 纖鋅礦In x Ga 1-x N/GaN核殼量子點中類氫雜質(zhì)態(tài)的光吸收性質(zhì)
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657. 具有高開啟/關(guān)斷電流比的Al 2 O 3 /AlGaN/GaN金屬氧化物半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管（英文）
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658. 供應(yīng)鍍鋅C型鋼 模板支撐C型鋼 C型鋼規(guī)格C型鋼批發(fā)
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659. 正負(fù)2度c奶茶_正負(fù)二度c外賣單_正負(fù)2度C《±2°C》
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660. C/C基體密度對C/C-SiC-ZrC復(fù)合材料性能的影響
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