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211. 短溝道雙柵和圍柵MOSFET的建模和電學(xué)特性研究
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212. VD-MOSFET寄生導(dǎo)通電阻二維模型建模的研究
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213. 干法刻蝕輔助型GaN MOSFET的器件工藝及電學(xué)特性研究
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214. 全耗盡SOI MOSFET亞閾值區(qū)二維半解析模型的研究
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215. 100kHz低頻功放SiC MOSFET串?dāng)_分析與驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
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216. 65nm工藝下MOSFET的總劑量輻照效應(yīng)及加固研究
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217. 大功率SiC MOSFET并聯(lián)主動(dòng)均流方法研究
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218. 高低溫條件下MOSFET與反相器鏈輻射效應(yīng)仿真研究
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219. 一種適合于OLED電視電源應(yīng)用的新型超級結(jié)MOSFET
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220. 1200V碳化硅功率MOSFET低溫特性的實(shí)驗(yàn)表征及分析
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