提出了一種新型超級結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu),通過優(yōu)化Si表面漂移區(qū)的雜質(zhì)分布以抑制器件的結(jié)型場效應管(JFET)效應,改善器件特性。首先通過技術(shù)計算機輔助設(shè)計(TCAD)模擬并對比了新型超級結(jié)MOSFET和現(xiàn)有超級結(jié)MOSFET的電場強度分布、柵漏耦合電容隨漏極電壓的變化和開關(guān)過程,發(fā)現(xiàn)600 V新型超級結(jié)MOSFET比現(xiàn)有600 V超級結(jié)MOSFET的擊穿電壓提高了15 V、比導通電阻減小約3%,開關(guān)特性得到了大幅改善,器件關(guān)斷時漏極電壓尖峰降低41 V,柵極電壓尖峰降低10 V。該新型超級結(jié)MOSFET在國內(nèi)晶圓制造平臺上成功制作,獲得了優(yōu)異的器件性能。在300 W有機發(fā)光二極管(OLED)電視電源板上進行替代縱向雙擴散MOSFET(VDMOSFET)的對比測試,發(fā)現(xiàn)電源系統(tǒng)使用該新型超級結(jié)MOSFET比使用現(xiàn)有超級結(jié)MOSFET,其電磁干擾(EMI)性能改善了4.32～5.8 dB;與使用VDMOSFET相比,在保持EMI性能同等水平的同時,系統(tǒng)效率提高了0.52%。 

【文章來源】：半導體技術(shù). 2020年12期 北大核心

【文章頁數(shù)】：9 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 超級結(jié)MOSFET的優(yōu)勢
2 新型超級結(jié)MOSFET
3 實驗驗證
4 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]超結(jié)VDMOS漂移區(qū)的幾種制作工藝[J]. 馬萬里,趙圣哲.  半導體技術(shù). 2014(09)
[2]超級結(jié)深溝槽填充工藝及其對器件性能的影響[J]. 雷海波,肖勝安,劉繼全,王飛.  固體電子學研究與進展. 2014(03)



本文編號：2942600