本論文主要開(kāi)展了三個(gè)方面的研究：設(shè)計(jì)能減小寫電流和簡(jiǎn)化制造工藝的CRAM新型結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元；構(gòu)建反映CRAM存儲(chǔ)元阻值變換規(guī)律的存儲(chǔ)元電路模型；設(shè)計(jì)能順利進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)識(shí)別的完整的CRAM存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)電路。 首次從考察存儲(chǔ)元與外圍電路熱兼容的角度，提出具有“相變層+加熱層+相變層”結(jié)構(gòu)的“工”形存儲(chǔ)元，此結(jié)構(gòu)由于使用較小尺寸加熱層的兩端同時(shí)加熱相變材料，一方面，通過(guò)對(duì)設(shè)計(jì)出來(lái)的存儲(chǔ)元進(jìn)行電流加熱使其相變的情況下進(jìn)行溫度分布計(jì)算模擬得知，進(jìn)一步減小了存儲(chǔ)元的復(fù)位寫電流；另一方面，此結(jié)構(gòu)下晶體管能承受在存儲(chǔ)元高溫相變時(shí)帶來(lái)的溫度影響，順利實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)元與外圍電路的熱兼容。 在數(shù)據(jù)信息的控制下選擇代表兩種存儲(chǔ)狀態(tài)的電阻來(lái)簡(jiǎn)單地實(shí)現(xiàn)了對(duì)存儲(chǔ)元的電路模擬，實(shí)現(xiàn)了寫信號(hào)下存儲(chǔ)元電路模型發(fā)生預(yù)期的阻值變換，為存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)提供可以使用的存儲(chǔ)元電路模型。此存儲(chǔ)元電路模型為本文的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)所用，成功地檢測(cè)了讀數(shù)據(jù)電路的正確性。 完整地實(shí)現(xiàn)CRAM從外部信號(hào)接口開(kāi)始的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)又分成控制信號(hào)模塊、脈寬選擇模塊、讀寫控制模塊、譯碼器與存儲(chǔ)矩陣模塊等分模塊，設(shè)計(jì)中，針對(duì)不同模塊在存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)中的不同功能...

【文章頁(yè)數(shù)】：74 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 CRAM的存儲(chǔ)原理
    1.3 CRAM的研究現(xiàn)狀
    1.4 存在的主要問(wèn)題
    1.5 本論文主要工作
第2章 CRAM存儲(chǔ)元結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
    2.1 CRAM存儲(chǔ)元結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
    2.2 已改進(jìn)的CRAM結(jié)構(gòu)
    2.3 “工”形CRAM存儲(chǔ)元結(jié)構(gòu)
    2.4 “工”形存儲(chǔ)元熱分布模擬
        2.4.1 計(jì)算模型分析
        2.4.2 建立熱傳導(dǎo)方程
        2.4.3 溫度及結(jié)構(gòu)分析
    2.5 本章小結(jié)
第3章 CRAM存儲(chǔ)元電路模型
    3.1 引言
    3.2 模型的建立
        3.2.1 建模工具M(jìn)ultisim
        3.2.2 CRAM存儲(chǔ)元電路建模
        3.2.3 模型修正
    3.3 存儲(chǔ)元電路模型的測(cè)試分析
    3.4 本章小結(jié)
第4章 CRAM驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
    4.1 引言
    4.2 整體功能模塊結(jié)構(gòu)
    4.3 分模塊結(jié)構(gòu)
        4.3.1 控制信號(hào)模塊
        4.3.2 脈寬選擇模塊
        4.3.3 讀寫控制模塊
        4.3.4 譯碼器和存儲(chǔ)矩陣模塊
    4.4 本章小結(jié)
第5章 總結(jié)
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
附錄1 熱分布計(jì)算程序
附錄2 攻讀碩士學(xué)位期間所發(fā)表的論文及專利



本文編號(hào)：3807845