隨著人工智能、大數(shù)據(jù)等新技術(shù)的興起,以及傳統(tǒng)Flash存儲(chǔ)器高密度集成面臨的技術(shù)瓶頸,對(duì)新型非易失性存儲(chǔ)器的研究顯得尤為重要。另一方面,透明電子產(chǎn)品越來(lái)越受到市場(chǎng)的青睞,因此新型透明電子器件也吸引了許多研究者的目光。阻變存儲(chǔ)器（Resistive Random Access Memory,RRAM）因具有微縮性好、數(shù)據(jù)擦寫速度快、功耗低等諸多優(yōu)點(diǎn),使得阻變存儲(chǔ)器在眾多新型非易失性存儲(chǔ)器中最具潛力,而在可見光波段具有高透光性的透明阻變存儲(chǔ)也成為一個(gè)新的研究領(lǐng)域。材料的選取對(duì)阻變存儲(chǔ)器的性能有重要影響,本文采用ITO電極材料和ZnO阻變層材料,并將具有高k的過(guò)渡金屬氧化物HfO_x作為插入層,研究了基于Zn O基透明阻變存儲(chǔ)器件的構(gòu)建與性能分析。首先對(duì)氧化銦錫電極的制備工藝進(jìn)行了優(yōu)化,獲得高透光性和導(dǎo)電性能良好的ITO薄膜,其次探究了Zn O薄膜生長(zhǎng)工藝對(duì)單層ZnO透明阻變存儲(chǔ)器性能的影響,并對(duì)其在光照環(huán)境下器件性能影響進(jìn)行了探究。最后對(duì)ZnO-HfO_x疊層結(jié)構(gòu)低功耗透明阻變存儲(chǔ)器件進(jìn)行了研究,通過(guò)測(cè)試分析疊層HfO_x厚度對(duì)阻... 

【文章來(lái)源】：天津理工大學(xué)天津市

【文章頁(yè)數(shù)】：54 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 透明電子學(xué)
    1.3 透明阻變存儲(chǔ)器
        1.3.1 阻變存儲(chǔ)器
        1.3.2 透明阻變存儲(chǔ)器的材料
        1.3.3 透明阻變存儲(chǔ)器的性能指標(biāo)
        1.3.4 透明阻變存儲(chǔ)器的阻變機(jī)理
    1.4 透明阻變存儲(chǔ)器的研究現(xiàn)狀
    1.5 本文研究的主要內(nèi)容
第二章 器件的制備及性能表征
    2.1 器件制備
        2.1.1 阻變功能層的沉積
        2.1.2 電極的制備
    2.2 薄膜性能表征
        2.2.1 厚度表征—臺(tái)階儀
        2.2.2 結(jié)晶取向表征—XRD
        2.2.3 表面形貌表征—原子力顯微鏡
        2.2.4 透過(guò)率測(cè)試—紫外-可見光分光光度計(jì)
        2.2.5 電阻率測(cè)量—四探針
    2.3 器件電學(xué)特性測(cè)試
第三章 單層ZnO透明阻變器件的制備與特性研究
    3.1 ITO電極的優(yōu)化
        3.1.1 濺射功率對(duì)薄膜性能的影響
        3.1.2 濺射壓強(qiáng)對(duì)薄膜性能的影響
    3.2 ZnO薄膜生長(zhǎng)工藝對(duì)器件性能的影響
        3.2.1 氧分壓對(duì)器件性能的影響
        3.2.2 襯底溫度對(duì)器件性能的影響
        3.2.3 濺射功率對(duì)器件性能的影響
    3.3 光照對(duì)器件性能的影響
    3.4 單層ZnO透明器件阻變機(jī)理分析
    3.5 本章小結(jié)
第四章 疊層ZnO透明阻變器件的制備與特性研究
    4.1 疊層ZnO透明阻變存儲(chǔ)器件的制備與性能測(cè)試
        4.1.1 ZnO-HfO_x疊層阻變存儲(chǔ)器件的構(gòu)建
        4.1.2 HfO_x厚度對(duì)ITO/HfO_x/ZnO/ITO疊層阻變存儲(chǔ)器件的影響
        4.1.3 不同ZnO-HfO_x疊層結(jié)構(gòu)阻變存儲(chǔ)器件的性能研究
    4.2 疊層ZnO結(jié)構(gòu)阻變機(jī)理分析
    4.3 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
發(fā)表論文和科研情況說(shuō)明
致謝



本文編號(hào)：3180471