使用中國散裂中子源提供的寬能譜中子束流,開展14 nm Fin FET工藝和65 nm平面工藝靜態(tài)隨機存取存儲器中子單粒子翻轉對比研究,發(fā)現相比于65 nm器件, 14 nm Fin FET器件的大氣中子單粒子翻轉截面下降至約1/40,而多位翻轉比例從2.2%增大至7.6%,源于14 nm Fin FET器件靈敏區(qū)尺寸（80 nm×30 nm×45 nm）、間距和臨界電荷（0.05 f C）的減小.不同于65 nm器件對熱中子免疫的現象, 14 nm Fin FET器件中M0附近10B元素的使用導致其表現出一定的熱中子敏感性.進一步的中子輸運仿真結果表明,高能中子在器件靈敏區(qū)中產生的大量的射程長、LET值大的高Z二次粒子是多位翻轉的產生誘因,而單粒子翻轉主要來自于p, He, Si等輕離子的貢獻. 

【文章來源】：物理學報. 2020,69(05)北大核心EISCICSCD

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