作為數(shù)據(jù)中心大國(guó),我國(guó)數(shù)據(jù)中心建設(shè)飛速發(fā)展。與數(shù)據(jù)中心節(jié)能、安全密切相關(guān)的高壓直流（HVDC）配電系統(tǒng)研究成為熱門課題�；诘墸℅a N）、碳化硅（SiC）的第三代半導(dǎo)體器件,是HVDC配電系統(tǒng)LLC諧振變換器的首選電路拓?fù)?降低高頻鐵氧體變壓器的功率損耗對(duì)該電路的效率提升起著極為重要的作用。介紹了國(guó)外應(yīng)用于該電路的高頻鐵氧體磁性材料的研發(fā)狀態(tài),及降低變壓器繞組導(dǎo)線損耗的研究成果。 

【文章來(lái)源】：磁性材料及器件. 2020,51(05)

【文章頁(yè)數(shù)】：7 頁(yè)

【部分圖文】：

MC2鐵氧體材料的功率損耗特性：(a)與溫度的關(guān)系，(b)與磁通密度的關(guān)系

圖6 日立金屬的幾種高頻低損耗材料

從圖中可以看到，500 k Hz、100 m T條件下，25℃、80℃及100℃的功率損耗分別為783m W/cm3、656 m W/cm3及704 m W/cm3。從研究水平來(lái)看，目前性能最好的高頻低損耗Mn Zn鐵氧體材料可以達(dá)到如下技術(shù)指標(biāo)：功率損耗低至87 m W/cm3(1 MHz,50 m T,85℃)和319 m W/cm3(3 MHz,30m T,85℃)[11]。4.2 變壓器繞組


本文編號(hào)：3033503