【摘要】： 隨著信息技術(shù)的發(fā)展，設(shè)計越來越復(fù)雜，給ASIC芯片的生產(chǎn)帶來比較大的挑戰(zhàn)，特別是芯片的管腳逐漸增加，降低了芯片的成品率。如何盡早地發(fā)現(xiàn)芯片生產(chǎn)過程中造成的缺陷已成為一個棘手的問題，需要一種好的測試方法來解決這個問題以縮短推向市場的時間。嵌入式存儲器是SOC系統(tǒng)中集成密度最高的器件，而存儲器又是對制造過程中存在的缺陷最敏感的器件之一，各種類型的嵌人式存儲器在當(dāng)前的SOC設(shè)計中被廣泛應(yīng)用，占用了SOC系統(tǒng)大部分面積。為確保存儲數(shù)據(jù)的可靠性，針對存儲器做迅速而高效的測試是不可或缺的，因此如何對嵌入在SOC系統(tǒng)中的存儲器進(jìn)行完備的測試成為急需解決的課題。 本文的研究即是針對SOC系統(tǒng)中的嵌入式存儲器的可測性設(shè)計問題進(jìn)行的，主要包括了以下幾方面的工作： 首先討論了SOC系統(tǒng)尤其是其中的嵌入式存儲器的可測性的重要性和主要的測試方法，并對這幾種測試方法的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行比較和總結(jié)，進(jìn)而得出MBIST是當(dāng)前嵌入式存儲器測試最主流最高效的方法的結(jié)論。 然后針對SOC系統(tǒng)中常用的SRAM存儲器介紹了MBIST的概念，并結(jié)合SRAM結(jié)構(gòu)中存在的各種故障模型討論了現(xiàn)今MBIST中應(yīng)用最為廣泛的March(齊步)算法以及March算法的測試原理。在此基礎(chǔ)之上，本文設(shè)計了一個基于有限狀態(tài)機(jī)的可編程MBIST電路，此MBIST電路可以根據(jù)用戶的選擇實(shí)現(xiàn)多種March算法，為MBIST的移植和復(fù)用提供了靈活性。 本文在最后針對傳統(tǒng)March算法難以測試SRAM開路故障的問題提出了一種稱為PDWTM(預(yù)放電寫入測試模式)的可測性設(shè)計方法，通過增加少數(shù)的幾個門，使得SRAM存儲器在幾乎不增加外部附加邏輯的基礎(chǔ)上能跟原有的基于March算法的MBIST電路結(jié)合，很好的測試出其中的開路故障。文中通過HSPICE對SRAM故障模型的仿真，顯示了PDWTM方法在測試靈敏度和測試時間等方面相比于傳統(tǒng)方法的優(yōu)勢。
【學(xué)位授予單位】：浙江大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2007
【分類號】：TP333
【圖文】：

oPeration為4，指小當(dāng)前的操作是wo，因此是按地址升序進(jìn)行’‘纂0操作。圖14圖14顯示了MarchC一算法的在完成第一個March元素轉(zhuǎn)向第二個March元素的情況。如圖所示，在最高位地址ff上操作完wo(operation=4)，地址隨即轉(zhuǎn)換成00，并在00地址上J卜始:o(operation=2)操作和wl(operation=5)操作。當(dāng)完成了對00地址的:O和wl，地址遞增，并在每個地址__仁都交替的順序執(zhí)行ro和wl操作，從而執(zhí)、示了MarehC一的第二個Mareh元素t(ro，wl)。圖15

完好存儲單元執(zhí)行延遲測試的仿真波形

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 孺子牛;;金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路(五)[J];微納電子技術(shù);1971年06期

2 趙玉珂;;全譯碼2K單元電可編程序FAMOS只讀存儲器[J];計算機(jī)研究與發(fā)展;1977年09期

3 甘學(xué)溫;;一種新型存儲器結(jié)構(gòu)——可持續(xù)按比例縮小的兩管單元存儲器[J];中國集成電路;2003年01期

4 申陽;視頻編碼芯片的設(shè)計方法(下)[J];中國集成電路;2005年05期

5 ;20nm之后將采取三維層疊技術(shù)[J];電子設(shè)計應(yīng)用;2009年06期

6 KarlGoser ,MichaelPomper ,張廷君;絕緣體上外延硅薄膜MOS工藝的五管存儲單元[J];計算機(jī)研究與發(fā)展;1974年03期

7 ;存儲器類型綜述及DDR接口設(shè)計的實(shí)現(xiàn)(上)[J];中國集成電路;2006年06期

8 王萬業(yè);CMOS SRAM存儲單元研究[J];半導(dǎo)體技術(shù);1997年02期

9 一凡;1Gb DRAM用的存儲單元[J];微電子技術(shù);1998年03期

10 趙衛(wèi)濱;周渝霞;;教你使用PROG-110[J];電子制作;2000年10期

相關(guān)會議論文 前10條

1 張嘉毅;羅喜伶;黃智剛;;針對部分并行LDPC譯碼器的優(yōu)化設(shè)計[A];2008通信理論與技術(shù)新發(fā)展——第十三屆全國青年通信學(xué)術(shù)會議論文集（下）[C];2008年

2 劉恕;;NAND Flash的ECC分級及其在ATE設(shè)備中的測試方法[A];第五屆中國測試學(xué)術(shù)會議論文集[C];2008年

3 周霽;孫武山;;256K PROM電路技術(shù)研究[A];第十屆全國抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會論文集[C];2009年

4 劉張李;張正選;畢大煒;張帥;田浩;俞文杰;陳明;王茹;;浮柵存儲器的總劑量輻射效應(yīng)研究進(jìn)展[A];第十屆全國抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會論文集[C];2009年

5 胡社教;陳航宇;潘宗嶺;;基于ADE7169F16的仿真器設(shè)計[A];中國儀器儀表學(xué)會第九屆青年學(xué)術(shù)會議論文集[C];2007年

6 陶汝云;李順忠;楊少華;;密集緩存儲庫電氣控制系統(tǒng)設(shè)計和實(shí)現(xiàn)[A];中國造船工程學(xué)會2007年優(yōu)秀學(xué)術(shù)論文集[C];2008年

7 孔敏;朱大奇;張偉;;改進(jìn)的CMAC神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)非線性辨識算法[A];第二十三屆中國控制會議論文集（下冊）[C];2004年

8 汪俊;師謙;鄧文基;;多位翻轉(zhuǎn)研究及其加固處理[A];2008第六屆電子產(chǎn)品防護(hù)技術(shù)研討會論文集[C];2008年

9 魏謙;張強(qiáng);;不確定多層倉庫布局模型與算法研究[A];中國企業(yè)運(yùn)籌學(xué)[C];2009年

10 陸啟韶;;生物細(xì)胞鈣振蕩和鈣波的動力學(xué)研究[A];第三屆全國動力學(xué)與控制青年學(xué)者研討會論文摘要集[C];2009年

相關(guān)重要報紙文章 前10條

1 ;SRAM存儲單元降低軟件錯誤[N];計算機(jī)世界;2004年

2 吳宵;新型磁隨機(jī)原理型器件問世[N];中國質(zhì)量報;2007年

3 霍光;激光助力硬盤容量提升[N];中國計算機(jī)報;2008年

4 盧慶儒;新一代NAND快閃存儲器朝立體SONOS結(jié)構(gòu)發(fā)展[N];電子資訊時報;2007年

5 本報記者 馮衛(wèi)東;未來的U盤納米造[N];科技日報;2007年

6 清水　編譯;Z-RAM重塑芯片市場格局[N];計算機(jī)世界;2007年

7 本報記者 言川;當(dāng)“天梭工程”遭遇“On Demand”[N];中國電子報;2003年

8 宋家雨;西安交大HPC應(yīng)用的故事[N];網(wǎng)絡(luò)世界;2008年

9 胡郁林;自動化立體庫集成物流效率[N];國際商報;2005年

10 劉暉;Sony Gallery換新顏 新式記憶棒初亮相[N];計算機(jī)世界;2003年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條

1 湯振杰;納米晶及納米疊層基電荷俘獲型存儲器的研究[D];南京大學(xué);2012年

2 王志坤;樹結(jié)構(gòu)磁盤陣列組織策略及關(guān)鍵技術(shù)研究[D];華中科技大學(xué);2010年

3 劉奇斌;相變存儲單元熱模擬及其CMP關(guān)鍵技術(shù)研究[D];中國科學(xué)院研究生院（上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所）;2007年

4 劉必慰;集成電路單粒子效應(yīng)建模與加固方法研究[D];國防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2009年

5 龐征斌;基于SMP的CC-NUMA類大規(guī)模系統(tǒng)中Cache一致性協(xié)議研究與實(shí)現(xiàn)[D];國防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2007年

6 余凱;靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器數(shù)據(jù)殘留的安全策略研究[D];華中科技大學(xué);2009年

7 張萬里;鐵磁薄膜圖形化單元磁特性的微磁學(xué)研究[D];電子科技大學(xué);2008年

8 高瓏;面向硬件故障的軟件容錯[D];國防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2006年

9 孫泳;電流模模數(shù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2009年

10 王龍海;用于嵌入式鐵電存儲器的集成鐵電電容研究[D];華中科技大學(xué);2006年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 徐歆;嵌入式SRAM的可測性設(shè)計研究[D];浙江大學(xué);2007年

2 宋凱;氧化鋅基阻變器件的構(gòu)建及其開關(guān)特性研究[D];天津理工大學(xué);2012年

3 胡婷婷;抗內(nèi)部存儲單元失效的32位微處理器的研究與實(shí)現(xiàn)[D];華中科技大學(xué);2011年

4 趙樂;深亞微米SRAM存儲單元穩(wěn)定性研究[D];蘇州大學(xué);2011年

5 貝力;外延NiO薄膜的結(jié)構(gòu)及性能研究[D];電子科技大學(xué);2009年

6 趙慧卓;基于9管單元的高讀穩(wěn)定性低靜態(tài)功耗存儲器設(shè)計[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2010年

7 施亮;高速、低功耗SRAM分析與設(shè)計[D];江南大學(xué);2007年

8 鐘頤華;用于高清數(shù)字電影拍攝的超高速實(shí)時無損存儲技術(shù)研究與實(shí)現(xiàn)[D];上海交通大學(xué);2008年

9 張敏;釕金屬納米晶的制備及其在非揮發(fā)快閃存儲中的應(yīng)用[D];復(fù)旦大學(xué);2008年

10 馬飛;基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的OTP存儲器的設(shè)計與研究[D];西安電子科技大學(xué);2009年

本文編號：2725904