氧空位對六方三氧化鎢納米線阻變行為的影響
【圖文】:
四個(gè)基本物理量關(guān)系及確定的電路元件
圖 1-2(a)數(shù)字型單極性憶阻器;(b)模擬型雙極性憶阻器。此外,憶阻器根據(jù)是否具有確定的開啟電壓可將憶阻器分為數(shù)字型憶阻器和模擬型憶阻器。數(shù)字型憶阻器具有快速的開啟電位,,而模擬型憶阻器中電阻的轉(zhuǎn)換是漸變的。2.憶阻器的構(gòu)建憶阻器從被提出到成功構(gòu)建經(jīng)歷了漫長的過程,2003 年美國加州大學(xué)洛杉磯分校實(shí)驗(yàn)室制備了 8 × 8 的交叉納米線陣列,在此基礎(chǔ)上提出了構(gòu)建垂直結(jié)構(gòu)憶阻器件的實(shí)驗(yàn)?zāi)P停鐖D 1-3 所示。遺憾的是當(dāng)時(shí)交叉納米線陣列構(gòu)建的器件沒有表現(xiàn)出憶阻性能[21]。
【學(xué)位授予單位】:湖南師范大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號】:TB383.1;TQ136.13;TP333
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本文編號:2600786
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