本文選題：質(zhì)子 + 納米隨機(jī)靜態(tài)存儲(chǔ)器��； 參考：《物理學(xué)報(bào)》2015年21期

【摘要】：器件特征尺寸的減小帶來(lái)單粒子多位翻轉(zhuǎn)的急劇增加,對(duì)現(xiàn)有加固技術(shù)帶來(lái)了極大挑戰(zhàn).針對(duì)90 nm SRAM(static random access memory,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)開(kāi)展了中高能質(zhì)子入射角度對(duì)單粒子多位翻轉(zhuǎn)影響的試驗(yàn)研究,結(jié)果表明隨著質(zhì)子能量的增加,單粒子多位翻轉(zhuǎn)百分比和多樣性增加,質(zhì)子單粒子多位翻轉(zhuǎn)角度效應(yīng)與質(zhì)子能量相關(guān).采用一種快速計(jì)算質(zhì)子核反應(yīng)引起單粒子多位翻轉(zhuǎn)的截面積分算法,以Geant4中Binary Cascade模型作為中高能質(zhì)子核反應(yīng)事件發(fā)生器,從次級(jí)粒子的能量和角度分布出發(fā),揭示了質(zhì)子與材料核反應(yīng)產(chǎn)生的次級(jí)粒子中,LET(linear energy transfer)最大,射程最長(zhǎng)的粒子優(yōu)先前向發(fā)射是引起單粒子多位翻轉(zhuǎn)角度相關(guān)性的根本原因.質(zhì)子能量、臨界電荷的大小是影響納米SRAM器件質(zhì)子多位翻轉(zhuǎn)角度相關(guān)性的關(guān)鍵因素.質(zhì)子能量越小,多位翻轉(zhuǎn)截面角度增強(qiáng)效應(yīng)越大;臨界電荷的增加將增強(qiáng)質(zhì)子多位翻轉(zhuǎn)角度效應(yīng).
[Abstract]:The reduction of the characteristic size of the device leads to a sharp increase of single particle multi-bit flipping, which poses a great challenge to the existing reinforcement technology. An experimental study on the effect of the incidence angle of protons at 90 nm on the multi-bit flip of single particle is carried out. The results show that with the increase of proton energy, the percentage and diversity of multi-bit flipping of single particle increase with the increase of proton energy. The multiposition reversal angle effect of proton single particle is related to proton energy. In this paper, a fast algorithm for calculating the cross sectional area of single particle multiposition flip caused by proton nuclear reaction is presented. The binary Cascade model in Geant4 is used as the event generator for the intermediate and high energy proton reaction. The energy and angle distribution of the secondary particle is considered. It is revealed that among the secondary particles produced by the reaction of proton and material, let (linear energy transfer) is the largest and the particle with the longest range preferentially emits forward, which is the fundamental reason for the correlation of multi-position reversal angle of single particle. Proton energy and critical charge are the key factors that affect the correlation of proton multiposition reversal angle. The smaller the proton energy is, the greater the angle enhancement effect is, and the higher the critical charge is, the stronger the proton multi-position flip angle effect will be.
【作者單位】： 強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 西北核技術(shù)研究所;
【基金】：國(guó)家科技重大專項(xiàng)(批準(zhǔn)號(hào):2014ZX01022-301)資助的課題~~
【分類號(hào)】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前2條

1 賀朝會(huì),楊海亮,耿斌,陳曉華,李國(guó)政,劉恩科,羅晉生;靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器質(zhì)子單粒子效應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究[J];核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù);2000年04期

2 賀朝會(huì),陳曉華,李國(guó)政;高能質(zhì)子單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的模擬計(jì)算[J];計(jì)算物理;2002年04期

【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 王園明;郭紅霞;張鳳祁;張科營(yíng);陳偉;羅尹虹;郭曉強(qiáng);;SRAM single event upset calculation and test using protons in the secondary beam in the BEPC[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2011年09期

2 賀朝會(huì),耿斌,王燕萍,楊海亮,張正選,陳曉華,李國(guó)政,路秀琴,符長(zhǎng)波,趙葵,郭繼宇,張新;靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器重離子單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究[J];核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù);2002年02期

3 趙又新;;SRAM輻射效應(yīng)測(cè)試裝置的研制與應(yīng)用[J];核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù);2006年04期

4 呂達(dá);吳飛;陸華;;賽靈思靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器型FPGA單粒子翻轉(zhuǎn)檢測(cè)[J];航天器工程;2010年06期

5 黃影;張春元;;空間環(huán)境下COTS計(jì)算機(jī)的抗SEU容錯(cuò)體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)[J];航天控制;2006年06期

6 賴鑫;戴葵;劉芳;王志英;;高可靠8051微處理器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J];計(jì)算機(jī)工程與科學(xué);2009年01期

7 賀朝會(huì),耿斌,陳曉華,楊海亮;浮柵ROM器件的質(zhì)子輻射效應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究[J];空間科學(xué)學(xué)報(bào);2002年02期

8 陳一新,梁昊,薛俊東,侯龍,劉寶瑩,劉強(qiáng),虞孝麒,周永釗;BESⅢμ子探測(cè)器前端板FPGA的輻射損傷實(shí)驗(yàn)[J];高能物理與核物理;2005年08期

9 鄧全;王天琦;李鵬;張民選;肖立伊;;基于簡(jiǎn)化電阻電容電路的單粒子效應(yīng)應(yīng)用研究[J];計(jì)算機(jī)工程與科學(xué);2014年03期

10 張?zhí)K雅拉吐;陳志強(qiáng);韓瑞;Roy Wad;劉星泉;林煒平;劉建立;石福棟;任培培;田國(guó)玉;羅飛;;Neutron time-of-flight spectrometer based on HIRFL for studies of spallation reactions related to ADS project[J];Nuclear Science and Techniques;2015年03期

相關(guān)會(huì)議論文 前1條

1 趙雙喜;趙寶康;時(shí)向泉;;一種面向空間路由器的轉(zhuǎn)發(fā)表抗輻照設(shè)計(jì)方案[A];第十六屆計(jì)算機(jī)工程與工藝年會(huì)暨第二屆微處理器技術(shù)論壇論文集[C];2012年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前6條

1 方美華;深空輻射粒子在介質(zhì)材料中的輸運(yùn)及損傷研究[D];南京航空航天大學(xué);2011年

2 邢克飛;星載信號(hào)處理平臺(tái)單粒子效應(yīng)檢測(cè)與加固技術(shù)研究[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2007年

3 趙振宇;鎖相環(huán)中單粒子瞬變效應(yīng)的分析與加固[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2009年

4 耿超;微納級(jí)SRAM器件單粒子效應(yīng)理論模擬研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院（近代物理研究所）;2014年

5 譙鳳英;非揮發(fā)性電荷俘獲存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)及其電離輻射可靠性研究[D];清華大學(xué);2013年

6 古松;基于重離子加速器的SOI SRAM器件單粒子翻轉(zhuǎn)實(shí)驗(yàn)研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院（近代物理研究所）;2015年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 黃錦杰;抗單粒子翻轉(zhuǎn)SRAM-based FPGA測(cè)試系統(tǒng)的研究與設(shè)計(jì)[D];復(fù)旦大學(xué);2011年

2 杜延康;組合電路SET若干效應(yīng)及軟錯(cuò)誤率分析[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2011年

3 何偉;SRAM型FPGA單粒子故障傳播特性與測(cè)試方法研究[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2011年

4 程陸明;基于雙口RAM計(jì)數(shù)器陣列的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];首都師范大學(xué);2004年

5 陳微;高可靠微處理器設(shè)計(jì)關(guān)鍵技術(shù)研究與實(shí)現(xiàn)[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2006年

6 黃影;星載COTS計(jì)算機(jī)的體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及其抗SEU研究[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2006年

7 高忠杰;基于FPGA的高可靠R80515的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];哈爾濱工程大學(xué);2008年

8 薛挺;空間應(yīng)用的信息處理系統(tǒng)抗輻射技術(shù)研究[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2008年

9 馬冬;星載信息處理平臺(tái)容錯(cuò)技術(shù)研究[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2008年

10 林金茂;SDR平臺(tái)抗SEU性能評(píng)價(jià)關(guān)鍵技術(shù)研究[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2009年

【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前4條

1 賀朝會(huì),李國(guó)政,羅晉生,劉恩科;CMOS SRAM單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的解析分析[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2000年02期

2 王同權(quán),戴宏毅,沈永平,張若棋,肖亞斌;宇宙高能質(zhì)子致單粒子翻轉(zhuǎn)率的計(jì)算[J];國(guó)防科技大學(xué)學(xué)報(bào);2002年02期

3 楊海亮,李國(guó)政,姜景和,賀朝會(huì),唐本奇;質(zhì)子和中子的單粒子效應(yīng)等效性實(shí)驗(yàn)研究[J];核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù);2002年02期

4 賀朝會(huì),陳曉華,李國(guó)政;高能質(zhì)子單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的模擬計(jì)算[J];計(jì)算物理;2002年04期

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 陳善強(qiáng);師立勤;;誘發(fā)單粒子多位翻轉(zhuǎn)的電荷分享研究[J];核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù);2011年02期

相關(guān)會(huì)議論文 前1條

1 耿超;劉杰;侯明東;孫友梅;張戰(zhàn)剛;習(xí)凱;古松;段敬;姚會(huì)軍;莫丹;羅捷;;相同LET值粒子傾角入射引起的單粒子多位翻轉(zhuǎn)效應(yīng)研究[A];第二十五屆全國(guó)空間探測(cè)學(xué)術(shù)研討會(huì)摘要集[C];2012年

，

本文編號(hào)：2095850