本文關(guān)鍵詞：相變存儲器材料研究

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【摘要】：作為下一代最具競爭力的新型存儲技術(shù)之一,相變存儲技術(shù)近十多年來得到突飛猛進(jìn)的發(fā)展,相關(guān)產(chǎn)品已經(jīng)問世并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn).伴隨著相變存儲技術(shù)本身的發(fā)展,與其相關(guān)的基礎(chǔ)研究也是近年來信息、材料等相關(guān)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn).基于硫系化合物材料的相變存儲介質(zhì)是相變存儲器的基礎(chǔ)和核心,相變材料的性能決定相變存儲器的性能.本文簡要介紹了相變存儲器的產(chǎn)業(yè)化動(dòng)態(tài)、總結(jié)了常用GeSbTe相變材料及其機(jī)理的主要理論研究結(jié)果、分析了傳統(tǒng)GeSbTe相變材料的C摻雜改性及其相變機(jī)理.
【作者單位】： 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：中國科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)(編號:XDA09020402) 國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(編號:2011CBA00607,2011CBA00602) 國家自然科學(xué)基金(編號:61076121)資助項(xiàng)目
【分類號】：TP333
【正文快照】： 1引言 Ovshinsky[1]最早在1968年發(fā)現(xiàn)了硫系化合物材料具有“有序-無序”可逆轉(zhuǎn)變現(xiàn)象,并指出利用這種現(xiàn)象可實(shí)現(xiàn)信息的存儲.隨后經(jīng)過30多年的研究,硫系化合物薄膜在光存儲領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了商品化,廣泛應(yīng)用在 CD-RW,DVD-RW,DVD-RAM和藍(lán)光相變光盤.硫系 化合物材料發(fā)生相變時(shí)不僅，

本文編號：1202745