本文關(guān)鍵詞：基于溫度的DRAM刷新時(shí)鐘產(chǎn)生電路設(shè)計(jì)

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【摘要】：隨著集成電路和微電子技術(shù)的迅速發(fā)展,高性能處理器對(duì)嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)提出了更高的要求,高的記憶密度、低功耗、高速度、低成本是今后存儲(chǔ)器的發(fā)展方向,如何提高存儲(chǔ)器的集成度,降低刷新功耗仍然是目前研究的熱點(diǎn)。 本論文針對(duì)上述問(wèn)題,提出了一種真正意義上的基于溫度的存儲(chǔ)器自適應(yīng)刷新方案。論文針對(duì)傳統(tǒng)存儲(chǔ)器刷新電路的不足,指出設(shè)計(jì)具有溫度白適應(yīng)刷新電路的必要性。以2T核心存儲(chǔ)單元為對(duì)象,針對(duì)溫度升高,漏電流增大,信息保持時(shí)間縮短的特點(diǎn),結(jié)合現(xiàn)有基于溫度傳感器刷新的特點(diǎn),充分考慮面積、功耗、工藝等性能之間的各種約束,緊緊圍繞“溫度-電壓-刷新頻率”之間的關(guān)系,提出了在存儲(chǔ)陣列中加入與溫度相關(guān)的PTAT冗余單元作為溫度傳感監(jiān)測(cè)單元,研究了具有線性度好、占用面積小、與MOS工藝兼容、實(shí)時(shí)性強(qiáng)的溫度監(jiān)測(cè)傳感電路。 本著振蕩源的頻率要具有隨溫度變化的要求,詳細(xì)分析了改變環(huán)形壓控振蕩器頻率的方法,選擇了電流饑餓型環(huán)形壓控振蕩器電路,以溫度監(jiān)測(cè)傳感電路的輸出電壓作為控制電壓,設(shè)計(jì)了基于溫度的DRAM刷新時(shí)鐘產(chǎn)生電路。 本文是基于AMI0.6微米標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計(jì)的,仿真測(cè)試結(jié)果表明,設(shè)計(jì)的振蕩電路符合DRAM刷新要求。
【學(xué)位授予單位】：西南交通大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2014
【分類號(hào)】：TP333;TN432

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本文編號(hào)：1202630