自旋屬性和電荷屬性都是電子的固有屬性。過去人們更多的關(guān)注點(diǎn)在利用電荷作為信息存儲(chǔ)和傳輸媒介的傳統(tǒng)微電子學(xué)上。但是隨著社會(huì)進(jìn)步和科技的發(fā)展,對于電子電荷屬性的調(diào)控越來越不能滿足新興領(lǐng)域小尺寸器件的需求。因此,人們開始對電子的自旋屬性進(jìn)行重新的認(rèn)識(shí)和研究,以期制備納米尺寸的自旋器件。在納米尺寸的材料中引入本征自旋和磁性,將是未來發(fā)展自旋器件的重要手段。因此,對自旋的合理開發(fā)和利用,不僅對信息工業(yè)有著深遠(yuǎn)的影響,對材料的物理化學(xué)性能的調(diào)控也有著重要的研究意義。本論文選取無機(jī)固體作為研究對象,調(diào)控材料中的自旋相關(guān)屬性,實(shí)現(xiàn)了物理化學(xué)性能的提升。在本論文中,重點(diǎn)探索了自旋屬性對磁電輸運(yùn)性能的影響及與電催化析氧反應(yīng)性能的相關(guān)性。通過雙缺陷引入、氧缺陷和摻雜協(xié)同調(diào)控方法、應(yīng)力工程和在樣品和基底之間形成強(qiáng)耦合鍵等方法調(diào)控了材料的自旋相關(guān)屬性,實(shí)現(xiàn)了磁電輸運(yùn)和電催化性能的提高。本論文的具體內(nèi)容包括如下幾點(diǎn):1.由于過渡金屬硫?qū)倩衔锞哂锌蓜冸x成超薄納米片的特性被認(rèn)為是有望制備納米尺寸的自旋器件。但由于其缺少本征的磁性和自旋,使得二維過渡金屬硫?qū)倩衔锊荒軕?yīng)用在自旋器件領(lǐng)域。本文提出在TiSe2材料中引入單...

【文章頁數(shù)】：118 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１．２?（ａ－ｂ）?ＮｉＯ／Ｔｉ〇２異質(zhì)納米片的ＨＲＴＥＭ

程中產(chǎn)生的電子傳輸，提高材料的電催化反應(yīng)性能。而就是通過在結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生陽??離子缺陷，使得樣品中的活性位點(diǎn)，電子傳輸能力等都達(dá)到了協(xié)同優(yōu)化，最終在??電催化析氧反應(yīng)測試中，如圖１．２ｈ所示，具有鎮(zhèn)離子缺陷的ＮｉＯ／Ｔｉ〇２異質(zhì)納米??片實(shí)現(xiàn)了?ＯＥＲ性能的極大提高，其在電流密度為ｌ....

圖１．３?（ａ）鈷離子低自旋態(tài)的電子排布

Ｈｏ?Ｎｙｕｎｇ?Ｌｅｅ課題組利用單晶基底的應(yīng)力調(diào)控對上層ＳｒＣｏ０３樣品進(jìn)行氧缺陷的??控制，從而實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦ＳｒＣｏ０３樣品電催化性能的提高ｔ３６Ｌ首先對制備的ＳｒＣｏ０２．５??樣品和電化學(xué)氧化的ＳｒＣｏＯｘ樣品進(jìn)行結(jié)構(gòu)的表征。如圖１．４ａ中的Ｘ射線衍射花??樣中可以看出樣品....

圖１．４?（ａ）?ＳｒＣｏ０２．５樣品和經(jīng)過電化學(xué)測試過的ＳｒＣｏ０２．５樣品的Ｘ射線衍射花樣

Ｈｏ?Ｎｙｕｎｇ?Ｌｅｅ教授課題組還針對鑰欽礦ＬａＮｉ〇３�。保硡侵械幕缀停危榈淖孕龖B(tài)??也進(jìn)行了分析［３７］。使用的基底不同，基底對上層ＬａＮｉ０３薄膜的應(yīng)力大小也不一??樣。如圖１．５ａ所示，隨著應(yīng)力強(qiáng)度的增大，ＬａＮｉ０３中的Ｎｉ０４八面體逐漸扭曲。??當(dāng)基底給予ＬａＮｉ....

圖１．５?（ａ）應(yīng)力對ＬａＮｉ０３薄膜中ＮｉＣＵ八面體的影響示意圖

??予樣品拉伸力逐漸增加，則其中含有的ｅｇ電子逐漸增加。從圖１．５ｄ，ｅ中電化學(xué)??性能測試可以看出，當(dāng)基底對樣品的壓縮力逐漸增加，樣品的ＯＲＲ和ＯＥＲ催化??活性都增加了。Ｈｏ?Ｎｙｕｎｇ?Ｌｅｅ教授課題組通過這兩組實(shí)驗(yàn)證實(shí)了，對于薄膜樣??品，當(dāng)基底的應(yīng)力發(fā)生改變的時(shí)候，往往....

本文編號(hào)：4047624