含氧空位Bi 2 MO 6 (M=Mo,W)材料的設計合成及其光催化性能研究
發(fā)布時間:2025-03-14 22:12
伴隨著世界經(jīng)濟的高速發(fā)展,人類面臨的能源短缺與環(huán)境污染問題日益嚴重,不僅制約了社會的可持續(xù)發(fā)展,而且造成巨大的食品安全隱患。半導體光催化技術作為高級氧化技術的一種,具有綠色環(huán)保、循環(huán)性能良好等優(yōu)點,已被廣泛應用于新能源開發(fā)和環(huán)境污染物去除等領域。然而,受限于光催化材料量子效率低的問題,其在實際生產(chǎn)生活中的應用依然處于起步階段。作為典型的缺陷工程改性策略,向半導體中引入氧空位不僅能改善其光電性能,而且能提供反應活性位點;已被證明是改善半導體光催化性能行之有效的方法。近年來,含氧空位的光催化材料已然成為光催化領域的研究熱點。然而,當前的研究大多聚焦于氧空位對材料光催化活性的提升,忽略了以下幾個重要問題:(1)氧空位的引入方法相對單一、可調(diào)節(jié)性差;(2)單一的氧空位引入對材料活性的改善極其有限,需結(jié)合其他手段協(xié)同改性;(3)氧空位作為反應活性位點,其對底物分子光催化轉(zhuǎn)化路徑的影響機制有待進一步探究。Bi2MO6(M=Mo,W)作為典型的Bi基半導體材料,一方面具有獨特的層狀結(jié)構,合適的能帶位置及易于調(diào)控的能帶結(jié)構;另一方面,其Bi-O鍵鍵能較低,晶格...
【文章頁數(shù)】:162 頁
【學位級別】:博士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
縮略詞表
第一章 緒論
1 引言
2 半導體光催化技術
2.1 光催化技術的基本原理
2.2 影響光催化效率的主要因素
3 氧空位與光催化
3.1 氧空位概述
3.2 氧空位的構筑手段
3.3 氧空位對半導體光電性質(zhì)的影響
3.4 氧空位介導的光催化反應
3.4.1 氧空位與CO2還原
3.4.2 氧空位與N2固定
3.4.3 氧空位與NO去除
3.4.4 氧空位與有機小分子轉(zhuǎn)化
4 Bi2MO6(M= Mo,W)光催化材料
4.1 Bi2MO6(M= Mo,W)材料的結(jié)構
4.2 Bi2MO6(M= Mo,W)材料的合成
4.3 Bi2MO6(M= Mo,W)材料在光催化領域的應用
4.3.1 能源領域的應用
4.3.2 環(huán)境領域的應用
4.3.3 食品科學領域的應用
4.4 含氧空位Bi2MO6(M= Mo,W)材料的研究進展
5 立題依據(jù)及研究內(nèi)容
5.1 立題依據(jù)
5.2 研究內(nèi)容
第二章 氧空位濃度可調(diào)Bi2MoO6的合成及其光催化性能
1 引言
2 實驗部分
2.1 儀器與試劑
2.2 光催化材料的制備
2.3 樣品的表征
2.4 光催化性能實驗
2.5 原位紅外實驗
2.6 電化學表征
2.7 理論計算
3 結(jié)果與討論
3.1 晶相組成與形貌結(jié)構分析
3.2 光催化性能測試
3.3 光電化學性質(zhì)及界面反應
3.4 反應機理探究
3.4.1 理論計算
3.4.2 原位紅外測試
4 小結(jié)
第三章 含氧空位0D/1D鉬酸鉍異質(zhì)結(jié)的設計合成及其光催化性能
1 引言
2 實驗部分
2.1 儀器與試劑
2.2 光催化材料的制備
2.3 樣品的表征
2.4 光催化性能實驗
2.5 原位紅外實驗
2.6 電化學表征
2.7 活性物種測試
2.8 理論計算
3 結(jié)果與討論
3.1 鉬酸鉍晶體生長機理
3.2 晶相組成與形貌結(jié)構分析
3.3 光催化性能測試
3.4 光電化學性質(zhì)及界面反應
3.5 反應機理探究
4 小結(jié)
第四章 Cl-調(diào)控含氧空位原子層厚Bi2WO6 的合成及其光催化性能
1 引言
2 實驗部分
2.1 儀器與試劑
2.2 光催化材料的制備
2.3 樣品的表征
2.4 光催化活性實驗
2.5 原位紅外實驗
2.6 電化學表征
2.7 活性物種測試
2.8 理論計算
3 結(jié)果與討論
3.1 理論計算
3.2 晶相組成與形貌結(jié)構分析
3.3 光催化性能測試
3.4 光電化學性質(zhì)及界面反應
3.5 反應機理探究
4 小結(jié)
第五章 納米金負載的含氧空位Bi2WO6的設計合成及其光催化性能
1 引言
2 實驗部分
2.1 儀器與試劑
2.2 光催化材料的制備
2.3 樣品的表征
2.4 光催化性能實驗
2.5 電化學表征
2.6 電化學表征活性物種測試
2.7 理論計算
3 結(jié)果與討論
3.1 晶相組成與形貌結(jié)構分析
3.2 光催化性能測試
3.3 光電化學性質(zhì)及界面反應
3.4 反應機理探究
4 小結(jié)
結(jié)論與展望
1 結(jié)論
2 展望
參考文獻
博士期間發(fā)表論文情況
致謝
本文編號:4034688
【文章頁數(shù)】:162 頁
【學位級別】:博士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
縮略詞表
第一章 緒論
1 引言
2 半導體光催化技術
2.1 光催化技術的基本原理
2.2 影響光催化效率的主要因素
3 氧空位與光催化
3.1 氧空位概述
3.2 氧空位的構筑手段
3.3 氧空位對半導體光電性質(zhì)的影響
3.4 氧空位介導的光催化反應
3.4.1 氧空位與CO2還原
3.4.2 氧空位與N2固定
3.4.3 氧空位與NO去除
3.4.4 氧空位與有機小分子轉(zhuǎn)化
4 Bi2MO6(M= Mo,W)光催化材料
4.1 Bi2MO6(M= Mo,W)材料的結(jié)構
4.2 Bi2MO6(M= Mo,W)材料的合成
4.3 Bi2MO6(M= Mo,W)材料在光催化領域的應用
4.3.1 能源領域的應用
4.3.2 環(huán)境領域的應用
4.3.3 食品科學領域的應用
4.4 含氧空位Bi2MO6(M= Mo,W)材料的研究進展
5 立題依據(jù)及研究內(nèi)容
5.1 立題依據(jù)
5.2 研究內(nèi)容
第二章 氧空位濃度可調(diào)Bi2MoO6的合成及其光催化性能
1 引言
2 實驗部分
2.1 儀器與試劑
2.2 光催化材料的制備
2.3 樣品的表征
2.4 光催化性能實驗
2.5 原位紅外實驗
2.6 電化學表征
2.7 理論計算
3 結(jié)果與討論
3.1 晶相組成與形貌結(jié)構分析
3.2 光催化性能測試
3.3 光電化學性質(zhì)及界面反應
3.4 反應機理探究
3.4.1 理論計算
3.4.2 原位紅外測試
4 小結(jié)
第三章 含氧空位0D/1D鉬酸鉍異質(zhì)結(jié)的設計合成及其光催化性能
1 引言
2 實驗部分
2.1 儀器與試劑
2.2 光催化材料的制備
2.3 樣品的表征
2.4 光催化性能實驗
2.5 原位紅外實驗
2.6 電化學表征
2.7 活性物種測試
2.8 理論計算
3 結(jié)果與討論
3.1 鉬酸鉍晶體生長機理
3.2 晶相組成與形貌結(jié)構分析
3.3 光催化性能測試
3.4 光電化學性質(zhì)及界面反應
3.5 反應機理探究
4 小結(jié)
第四章 Cl-調(diào)控含氧空位原子層厚Bi2WO6 的合成及其光催化性能
1 引言
2 實驗部分
2.1 儀器與試劑
2.2 光催化材料的制備
2.3 樣品的表征
2.4 光催化活性實驗
2.5 原位紅外實驗
2.6 電化學表征
2.7 活性物種測試
2.8 理論計算
3 結(jié)果與討論
3.1 理論計算
3.2 晶相組成與形貌結(jié)構分析
3.3 光催化性能測試
3.4 光電化學性質(zhì)及界面反應
3.5 反應機理探究
4 小結(jié)
第五章 納米金負載的含氧空位Bi2WO6的設計合成及其光催化性能
1 引言
2 實驗部分
2.1 儀器與試劑
2.2 光催化材料的制備
2.3 樣品的表征
2.4 光催化性能實驗
2.5 電化學表征
2.6 電化學表征活性物種測試
2.7 理論計算
3 結(jié)果與討論
3.1 晶相組成與形貌結(jié)構分析
3.2 光催化性能測試
3.3 光電化學性質(zhì)及界面反應
3.4 反應機理探究
4 小結(jié)
結(jié)論與展望
1 結(jié)論
2 展望
參考文獻
博士期間發(fā)表論文情況
致謝
本文編號:4034688
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