為了更好的研究高各向異性小平面枝晶生長。提出了一種綜合考慮動(dòng)力學(xué)各向異性和界面能各向異性的小平面枝晶生長的格子Boltzmann方法-元胞自動(dòng)機(jī)(LBM-CA)耦合模型,對(duì)硅小平面枝晶的生長過程及生長形狀進(jìn)行模擬;驗(yàn)證所采用的新動(dòng)力學(xué)各向異性方程的正確性;研究了界面能各向異性、動(dòng)力學(xué)各向異性和過冷度對(duì)小平面枝晶生長的影響。結(jié)果表明:小平面枝晶較非小平面枝晶表現(xiàn)出更強(qiáng)的各向異性;界面能各向異性系數(shù)的增大,小平面枝晶生長的各向異性顯著增大,生長速率變化、部分取向缺失;過冷度的增大,硅晶體由小平面晶粒生長變?yōu)樾∑矫嬷?其各向異性也顯著增強(qiáng),取向缺失增加,棱角更加明顯,二次枝晶臂生長速率加快;動(dòng)力學(xué)各向異性增大,二次枝晶臂生長速率、長度和數(shù)量均有增加。

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本文編號(hào)：4035342