采用中頻(MF,40 kHz)雙S槍磁控反應(yīng)濺射制備出了氮化鋁(AlN)壓電薄膜;采用直流磁控濺射法制作了Mo電極薄膜;采用脈沖DC磁控濺射Au、Cr、Al靶分別制作Au/Cr底電極薄膜及Al/Cr頂電極薄膜。通過對AlN壓電薄膜、Mo及Au電極薄膜進(jìn)行了X線衍射(XRD)分析,結(jié)果表明,復(fù)合AlN壓電薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面及Au薄膜(111)面擇優(yōu)取向優(yōu)良,說明選用Al/Cr/AlN/Au/Cr/YAG復(fù)合結(jié)構(gòu)壓電薄膜能研制出Ku波段及K波段聲體波微波延遲線(BAWDL),其Ku及K波段BAWDL器件插入損耗分別低至43.7 dB、54.6 dB。

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【部分圖文】：

圖1 AlN及Mo多晶薄膜XRD衍射曲線

對制備的AlN(壓電層)/Mo/AlN(種子層)/NCD/Si復(fù)合壓電薄膜樣品進(jìn)行了X線衍射(XRD)分析,圖1為XRD衍射曲線。圖2為搖擺曲線。由圖1可看出,AlN壓電薄膜(002)面X線衍射峰峰值強(qiáng)度Imax=3673cps(每秒計(jì)數(shù))(特征衍射角2θ=36.131....

圖2 AlN薄膜XRD搖擺曲線

圖1AlN及Mo多晶薄膜XRD衍射曲線2釔鋁石榴石(YAG)基Al/Cr/AlN/Au/Cr復(fù)合壓電薄膜

圖3 AlN薄膜XRD衍射曲線

采用XRD對研制出的Au/Cr基AlN壓電薄膜樣品進(jìn)行了XRD分析,獲得了該樣品XRD衍射曲線及其搖擺曲線如圖3、4所示。由圖3可知,AlN壓電薄膜(002)面X線衍射峰Imax=736cps(2θ=35.9853°);其FWHM=0.2608°。由圖4可知,AlN壓電薄膜....

圖4 AlN薄膜XRD搖擺曲線

圖3AlN薄膜XRD衍射曲線3復(fù)合AlN壓電薄膜的應(yīng)用

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