采用LASTIP軟件研究了InGaN/GaN(In組分為15%)量子阱壘層和阱層厚度對GaN基藍紫光激光器性能的影響及機理.模擬計算結(jié)果表明,當(dāng)阱層太薄或太厚時,GaN基激光器的閾值電流增加、輸出功率下降,最優(yōu)的阱層厚度為4.0 nm左右;當(dāng)阱層厚度太薄時,載流子很容易泄漏,而當(dāng)阱層厚度太厚時,極化效應(yīng)導(dǎo)致發(fā)光效率降低,研究還發(fā)現(xiàn),與壘層厚度為7 nm相比,壘層厚度為15 nm時激光器的閾值電流更低、輸出功率更高,因此適當(dāng)?shù)卦黾訅緦雍穸饶茱@著抑制載流子泄漏,從而改善激光器性能.

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