GaN基激光二極管(LD)將半導(dǎo)體LD的波長擴(kuò)展到可見光譜和紫外光譜范圍,因此有望被廣泛用于光鐘等量子技術(shù)、生物醫(yī)療儀器、激光顯示、照明和材料加工等領(lǐng)域.盡管它們與GaN基發(fā)光二極管(LED)基于相同的Ⅲ氮化物材料,但是藍(lán)光和綠光LD面臨更大的挑戰(zhàn).在本文中,我們從外延生長和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的角度對(duì)GaN基藍(lán)光和綠光LD面臨的挑戰(zhàn)和進(jìn)展進(jìn)行了回顧總結(jié). InN、GaN和AlN之間的晶格常數(shù)和生長條件差異很大,因此需要進(jìn)行深入研究來提高藍(lán)光,尤其是綠光LD的InGaN/GaN多量子阱(MQW)增益介質(zhì)的材料質(zhì)量. p型摻雜分布,生長條件和器件結(jié)構(gòu)對(duì)減少內(nèi)部損耗并抑制InGaN MQW的熱退化至關(guān)重要.此外,空穴注入也是GaN基LD面臨的關(guān)鍵問題.

【文章頁數(shù)】：16 頁

【文章目錄】：
INTRODUCTION
CHALLENGES
    Crystalline defects
    Light absorption
    Carrier injection
    Quantum confined Stark effect
PROGRESS OF BLUE LDs
    Epitaxial growth:suppression of dark spots
    Internal optical loss
    Hole transport and distribution
    Determination of internal parameters
    LD characteristics
PROGRESS OF GREEN LDs
    Improvement of luminescent homogeneity
    Suppression of thermal degradation
    Carbon impurities in the p-Al Ga N:Mg cladding layer
    Hybrid green LDs with ITO cladding layers
CONCLUSIONS



本文編號(hào)：4047497