制絨和擴(kuò)散工藝是太陽(yáng)電池制備的基本工藝,晶體硅表面制絨可以降低光的反射率和提高陷光作用,而擴(kuò)散形成的PN結(jié)是太陽(yáng)電池的核心。本文首先理論模擬不同金字塔的大小對(duì)太陽(yáng)能電池的影響,發(fā)現(xiàn)隨著金字塔尺寸的增大,電池效率并不會(huì)受到明顯影響。利用異丙醇添加劑制備的金字塔絨面尺寸較大且不均勻,然后尋找優(yōu)質(zhì)的無(wú)醇制絨添加劑得到2μm左右的理想的細(xì)小均勻且致密的金字塔絨面結(jié)構(gòu),同時(shí)對(duì)金剛線切割單晶硅片和拋光單晶硅片制絨過(guò)程的進(jìn)行探討,發(fā)現(xiàn)拋光硅片在制絨添加劑堿腐蝕的情況下經(jīng)過(guò)成核、生長(zhǎng)、成型和均勻4個(gè)階段;在掃面電子顯微鏡下觀察到的線切割的單晶硅片截面損傷層只有5μm左右,制絨時(shí)金剛線切割硅片制絨時(shí)在晶格受損嚴(yán)重區(qū)域(破碎斷裂凹坑處)先生長(zhǎng)金字塔,硅片腐蝕過(guò)程包括線痕去除、線痕殘留、成型和均勻4個(gè)階段。在目前光伏市場(chǎng),大部分的晶硅太陽(yáng)電池生產(chǎn)商都采用硼摻雜的P型硅片生產(chǎn)電池,而磷摻雜的N型電池以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)越來(lái)越被看好,而N型電池硼發(fā)射極的制備通常采用三溴化硼擴(kuò)散源在管式爐中擴(kuò)散,本論文采用陶瓷輥軸的輥式擴(kuò)散爐解決了鏈?zhǔn)綌U(kuò)散金屬污染和熱量損耗大問(wèn)題,利用廉價(jià)無(wú)毒的硼酸擴(kuò)散源進(jìn)行硼擴(kuò)散,優(yōu)化了一種霧化裝置來(lái)...

【文章頁(yè)數(shù)】：63 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 研究背景與意義
    1.2 晶硅電池發(fā)展
    1.3 本論文的研究意義和主要內(nèi)容
第2章 表征方法
    2.1 掃描電子顯微鏡(SEM)
    2.2 紫外-近紅外光譜測(cè)試
    2.3 ECV測(cè)試
    2.4 四探針?lè)綁K電阻測(cè)試
    2.5 少子壽命測(cè)試
    2.6 量子效率測(cè)試
    2.7 I-V測(cè)試
    2.8 冷熱探針測(cè)半導(dǎo)體導(dǎo)電類型
第3章 單晶硅表面制絨過(guò)程研究
    3.1 單晶硅制絨表面織構(gòu)化原理
        3.1.1 光學(xué)損失
        3.1.2 單晶硅絨面制備機(jī)理
        3.1.3 硅片切割模式
    3.2 金字塔大小對(duì)電池的影響
        3.2.1 小金字塔尺寸分析
        3.2.2 PC1D模擬絨面大小對(duì)電池性能的影響
    3.3 絨面的制備
    3.4 單晶制絨添加劑對(duì)制絨的影響
        3.4.1 無(wú)添加劑制絨
        3.4.2 不同制絨添加劑對(duì)絨面的影響
    3.5 損傷層對(duì)制絨的影響
        3.5.1 損傷層形貌與結(jié)構(gòu)
        3.5.2 金剛線切割硅片制絨特性
        3.5.3 拋光硅片制絨特性
    3.6 本章小結(jié)
第4章 輥式擴(kuò)散制備硼發(fā)射極
    4.1
        4.1.1 N型太陽(yáng)電池優(yōu)勢(shì)
        4.1.2 擴(kuò)散原理
        4.1.3 硼擴(kuò)散的主要方式
        4.1.4 N型電池制備技術(shù)
    4.2 輥式擴(kuò)散制備B發(fā)射極
        4.2.1 輥式擴(kuò)散發(fā)展
        4.2.2 B發(fā)射極的制備
        4.2.3 電池性能測(cè)試
第5章 論文總結(jié)
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀學(xué)位期間取得的科研成果



本文編號(hào)：4024455