發(fā)布時間：2021-07-06 14:09

　　隔離開關(guān)廣泛應(yīng)用于氣體絕緣開關(guān)設(shè)備（GIS）中,文中采用三維有限元電場分析軟件,建立了GIS隔離開關(guān)氣室的三維電場仿真模型,計算了GIS隔離開關(guān)氣室內(nèi)各部件的電場分布,研究了金屬異物對隔離開關(guān)氣室內(nèi)部SF6間隙電場分布的影響規(guī)律,發(fā)現(xiàn)金屬異物的存在引起隔離開關(guān)動觸頭屏蔽罩附近場強發(fā)生明顯畸變,可能會導(dǎo)致GIS隔離開關(guān)氣室絕緣故障。文中研究通過電場模擬手段,分析了金屬異物對GIS隔離開關(guān)氣室內(nèi)部電場分布的影響,為今后GIS類似故障的處理分析提供借鑒與參考。 

【文章來源】：高壓電器. 2020,56(08)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

GIS隔離開關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖

圖1 GIS隔離開關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖從電場分布結(jié)果來看，在GIS隔離開關(guān)氣室內(nèi)部，動觸頭屏蔽環(huán)、末端屏蔽以及靜觸頭屏蔽罩表面均出現(xiàn)了較明顯的電場畸變。GIS隔離開關(guān)氣室各關(guān)鍵部件的表面最高場強見表2。其中，隔離開關(guān)動觸頭側(cè)屏蔽環(huán)表面場強最高，為7.55 kV/mm，動觸頭末端屏蔽罩表面最高場強達(dá)到了6.23 kV/mm，靜觸頭側(cè)盆式絕緣子盆體凸面最高場強為4.08 kV/mm，要高于動觸頭側(cè)盆式絕緣子。

從電場分布結(jié)果來看，在GIS隔離開關(guān)氣室內(nèi)部，動觸頭屏蔽環(huán)、末端屏蔽以及靜觸頭屏蔽罩表面均出現(xiàn)了較明顯的電場畸變。GIS隔離開關(guān)氣室各關(guān)鍵部件的表面最高場強見表2。其中，隔離開關(guān)動觸頭側(cè)屏蔽環(huán)表面場強最高，為7.55 kV/mm，動觸頭末端屏蔽罩表面最高場強達(dá)到了6.23 kV/mm，靜觸頭側(cè)盆式絕緣子盆體凸面最高場強為4.08 kV/mm，要高于動觸頭側(cè)盆式絕緣子。2 GIS隔離開關(guān)故障情況

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]高壓交流盆式絕緣子電熱場模擬與絕緣事故分析[J]. 張施令,張絲鈺,王浩然,彭宗仁.  高電壓技術(shù). 2018(11)
[2]GIS隔離開關(guān)用絕緣拉桿含異物及缺陷時的電場分析[J]. 衛(wèi)昕卓,鄧宏偉,陳燕南,晏年平,彭宗仁.  高壓電器. 2016(04)
[3]GIS/GIL中金屬微粒污染問題研究進(jìn)展[J]. 李慶民,王健,李伯濤,劉思華,陳超,李成榕.  高電壓技術(shù). 2016(03)
[4]一起500kV GIS隔離開關(guān)絕緣閃絡(luò)的事故分析[J]. 王靜君,黃瑜瓏.  高壓電器. 2013(09)
[5]550kV GIS隔離開關(guān)絕緣拉桿質(zhì)量問題探討[J]. 王朗珠,王浩宇.  絕緣材料. 2013(01)
[6]基于ANSYS的GIS隔離開關(guān)短路事故分析[J]. 盧啟付,李興旺,徐曉剛,呂鴻,王宇,程養(yǎng)春.  高壓電器. 2012(08)
[7]一起組合電器內(nèi)部絕緣故障綜合分析[J]. 李秀衛(wèi),王慶玉,毛惠卿,李秀國.  高壓電器. 2012(08)
[8]GIS絕緣子表面固定金屬顆粒沿面局部放電發(fā)展的現(xiàn)象及特征[J]. 齊波,李成榕,郝震,耿弼博,徐黨國,劉少宇,鄧春.  中國電機工程學(xué)報. 2011(01)
[9]基于響應(yīng)表面法的550kV GIS隔離開關(guān)中的結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計[J]. 宮瑞磊,肖風(fēng)良,王峰,王兆珉.  高壓電器. 2009(05)
[10]500kV GIS隔離開關(guān)絕緣拉桿放電故障原因分析[J]. 霍鳳鳴,周新偉,甄利,李曉峰.  河北電力技術(shù). 2009(04)

碩士論文
[1]特高壓GIS隔離開關(guān)的電場特性及絕緣性能研究[D]. 路璐.沈陽工業(yè)大學(xué) 2009



本文編號：3268387