由于碳化硅(SiC)材料出色的物理特性,SiC MOSFET成為最有可能取代Si IGBT的電力電子器件。尤其在中/高壓大功率應(yīng)用場(chǎng)合,SiC MOSFET模塊的出現(xiàn)勢(shì)必將推動(dòng)電力電子技術(shù)進(jìn)入一個(gè)新的階段。為了使SiC MOSFET模塊可以更好地應(yīng)用在電力電子變流器中,本文進(jìn)行了如下工作:對(duì)目前最先進(jìn)的大容量1700V、300A SiC MOSFET模塊及Si IGBT模塊的動(dòng)靜態(tài)性能進(jìn)行測(cè)試與對(duì)比分析。發(fā)現(xiàn)了SiC MOSFET模塊四個(gè)性能特點(diǎn):(1)即使當(dāng)Si IGBT模塊的外部驅(qū)動(dòng)電阻降為0Ω,其開關(guān)損耗也比采用常用外部驅(qū)動(dòng)電阻的SiC MOSFET模塊的高;(2)當(dāng)外部驅(qū)動(dòng)電阻大于某一個(gè)值時(shí)(如8Ω),SiC MOSFET模塊開關(guān)時(shí)的最大瞬態(tài)dv/dt及di/dt(EMI)水平與Si IGBT模塊的相似,但是其開關(guān)損耗比Si IGBT模塊的小得多;(3)與Si IGBT模塊開通電流尖峰與負(fù)載電流成指數(shù)關(guān)系(斜率逐漸減小)不同,SiC MOSFET模塊的開通電流尖峰與負(fù)載電流成線性關(guān)系,所以在負(fù)載電流較大時(shí),SiC MOSFET模塊的開通電流尖峰有可能大于Si IGBT模塊的開通...

【文章頁數(shù)】：157 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

圖1-3SiCMOSFET性能分類Figure1-3PerformanceclassificationofSiCMOSFETs[74]

本文編號(hào)：3883068