光伏發(fā)電系統(tǒng)在一次能源日漸短缺的情況下扮演著重要的替代角色,并網(wǎng)逆變器是整個光伏發(fā)電系統(tǒng)的關(guān)鍵,而功率開關(guān)器件作為逆變器的核心決定了其整體性能的優(yōu)劣。近年來,“第三代半導(dǎo)體器件”SiC MOSFET以其高飽和電子漂移率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)越的物理特性倍受關(guān)注,其對逆變器的效率、功率密度的提升效果顯著,所以研究SiC并網(wǎng)逆變器具有較強的實際意義。而SiC逆變器的高速開關(guān)特性使其更容易出現(xiàn)開關(guān)過程電壓電流振蕩的問題,同時在復(fù)雜電網(wǎng)條件如弱電網(wǎng)下SiC并網(wǎng)逆變器的穩(wěn)定性受到較大影響,因此,如何設(shè)計高穩(wěn)定性的SiC并網(wǎng)逆變器是重要的研究方向。針對高速開關(guān)狀態(tài)下的開關(guān)振蕩問題,本文首先分析SiC應(yīng)用電路中寄生參數(shù)的分布與影響,建立簡潔的開關(guān)振蕩模型,研究引起振蕩的主要因素和阻尼吸收電路,結(jié)合估算的回路寄生參數(shù)和設(shè)計的吸收電路參數(shù)進(jìn)行雙脈沖測試實驗,驗證其對振蕩的抑制效果,為高頻并網(wǎng)逆變器的安全運行提供硬件保障。針對LCL型高頻并網(wǎng)逆變器在弱電網(wǎng)下穩(wěn)定裕度較低的問題,本文在基于負(fù)HPF（High-pass Filter,高通濾波器）的無傳感器諧振阻尼方法基礎(chǔ)上建立阻抗模型,采用GMPM（Gain Mar... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖2-4雙脈沖仿真波形

2-10（a）、2-10（b）所示。兩次實驗開通電分別為 250ns 和 180ns，代入上式得到總回路2 2 2 2on1 on2op2 2ds1 ds2250 180324.4nH4π ( ) 4π (4.7 2.35)T TC C oss_H為：2 2 2 2ds1 on2 ds2 on12 2 2 2on1 on24.7 180 2.35 25017250 180C T C TT T t(400ns/格)Id7A/(格)Cds1= 4.7nF t 250ns0714-7-14（a）并聯(lián) 4.7nF 電容14

t(400ns/格)Id7A/(格 t 250ns0-7-14（a）并聯(lián) 4.7nF 電容 t 180nst(200ns/格)Id7A/(格)Cds2= 2.35nF0714-7-14（b）并聯(lián) 2.35nF 電容圖 2-10 開通電流波形參數(shù)估算的準(zhǔn)確性，在上管漏源極兩端并聯(lián) 測得的開通電流波形如圖 2-11 所示。10

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3262593