本文選題：直流 + 絕緣材料　； 參考：《電工技術(shù)學(xué)報》2017年08期

【摘要】：隨著直流輸電技術(shù)的發(fā)展,直流氣體絕緣金屬封閉開關(guān)設(shè)備(GIS)因其具有占地面積小、可靠性高、維護少等優(yōu)點已得到越來越多的關(guān)注。相比交流GIS,直流GIS盆式絕緣子存在嚴重的表面電荷積聚問題,導(dǎo)致其沿面閃絡(luò)特性下降,制約著直流GIS的工程應(yīng)用。目前關(guān)于高壓直流下絕緣材料表面電荷積聚特性及抑制措施的研究已成為國際上的熱點,本文對此進行系統(tǒng)性的綜述,包括:表面電荷測試的常用技術(shù)和電荷反演算法,表面電荷的積聚途徑及相應(yīng)來源,表面電荷積聚的仿真模型,表面電荷積聚的影響因素及調(diào)控措施。最后,對表面電荷積聚下一步的研究工作給出了建議。
[Abstract]:With the development of HVDC transmission technology, GISs have been paid more and more attention due to their advantages of small area, high reliability and little maintenance.Compared with AC gis, DC GIS basin insulators have serious surface charge accumulation problem, which leads to the decrease of flashover characteristics along the surface, which restricts the engineering application of DC GIS.At present, the research on the characteristics of surface charge accumulation and suppression measures of insulating materials under HVDC has become a hot topic in the world. This paper makes a systematic review of this issue, including: the common techniques of surface charge measurement and charge inversion algorithms.The path and source of surface charge accumulation, the simulation model of surface charge accumulation, the influencing factors of surface charge accumulation and the control measures are discussed.Finally, some suggestions are given for the further study of surface charge accumulation.
【作者單位】： 武漢大學(xué)電氣工程學(xué)院;南方電網(wǎng)科學(xué)研究院有限責(zé)任公司;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51607128) 湖北省自然科學(xué)基金(2016CFB111)資助項目
【分類號】：TM21

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本文編號：1761958