單相軟開關高效率半橋功率因數(shù)校正器研究
本文關鍵詞:單相軟開關高效率半橋功率因數(shù)校正器研究
【摘要】:傳統(tǒng)的功率因數(shù)校正(Power Factor Correction-PFC)拓撲由二極管整流橋與Boost電路級聯(lián)組成。該級聯(lián)拓撲的電流回路中器件數(shù)較多,導致導通損耗大,限制了效率的提高。無橋PFC拓撲能夠減少電流回路中的器件數(shù),降低導通損耗,其中半橋PFC拓撲中電流回路器件數(shù)最少,因而導通損耗更小。但是,該拓撲中開關器件電壓應力較大,因此如果選用高壓的IGBT作為開關器件,則開關損耗大,效率低。新型的碳化硅基MOSFET兼顧了高耐壓與低通態(tài)電阻,因而導通損耗較小。且由于其開關速度快,所以開關損耗較小,可以極大提高半橋PFC的整體效率。但是,由于高頻工作時其開通損耗比重仍然較大,嚴重制約變換器效率的提高。本文利用碳化硅基MOSFET優(yōu)良的關斷特性,采用讓電感電流反向的零電壓(Zero Voltage Switching-ZVS)控制策略,利用反向電感電流實現(xiàn)上下管的自然換流,使需要開通的開關器件的體二極管導通,讓器件工作在零電壓開通狀態(tài)下,消除開通損耗,降低開關損耗,提升效率。針對這種電感電流反向的零電壓(Zero Voltage Switching-ZVS)控制方式,論文給出了各個關鍵參數(shù)與關鍵控制電路的設計,分析建立了小信號與控制回路的數(shù)學模型,并介紹了數(shù)字控制的實現(xiàn)方案,搭建了一臺數(shù)字控制的輸出功率為1100W的實驗樣機,通過實驗驗證了碳化硅基MOSFET應用于半橋PFC能達到較高的效率。同時,針對數(shù)字控制半橋PFC電路的高頻效率優(yōu)化,本文進行了實驗以及分析,提出了幾種解決方案。
【學位授予單位】:浙江大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TM46
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,本文編號:1245293
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