MEMS微鏡陣列單元設(shè)計研究
本文關(guān)鍵詞:MEMS微鏡陣列單元設(shè)計研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
【摘要】:MEMS技術(shù)是一個前沿的技術(shù)研究領(lǐng)域,廣泛涉及到包括機械學(xué)、電子學(xué)和光學(xué)等在內(nèi)的多個學(xué)科,并且相互之間產(chǎn)生交叉耦合作用,被稱作是一項面向21世紀(jì)能夠廣泛應(yīng)用的新興技術(shù)。而微反射鏡陣列是近些年來伴隨MEMS技術(shù)的進步而逐漸得到應(yīng)用的一種微光學(xué)器件,隨著微加工技術(shù)的不斷發(fā)展,它在現(xiàn)代光纖通訊、投影顯示等相關(guān)領(lǐng)域的運用日益廣泛。 本文對扭臂結(jié)構(gòu)的MEMS微鏡陣列單元進行了設(shè)計研究。首先,對微梁的基礎(chǔ)力學(xué)知識進行了闡述,總結(jié)了其中幾種常見的彈性梁結(jié)構(gòu),分析了多種彈性梁的力學(xué)特點。而后,通過對比目前MEMS中的幾種主要驅(qū)動方式,提出選用扭臂結(jié)構(gòu)式MEMS微鏡陣列單元的結(jié)構(gòu)模型。并在簡要介紹其工作原理的基礎(chǔ)上,結(jié)合微反射鏡陣列單元中每個部分的不同特點,設(shè)計出了微鏡陣列單元各部分結(jié)構(gòu)尺寸。并對所設(shè)計的微鏡單元中扭臂的扭轉(zhuǎn)運動進行了重點分析,通過比較靜電力矩及恢復(fù)力矩隨扭轉(zhuǎn)角度的變化關(guān)系,得到了產(chǎn)生靜電Pull-in現(xiàn)象的根本原因。同時,針對簡化后的扭臂式微反射鏡單元模型,討論了對于靜電Pull-in現(xiàn)象的分析方法,并得到用于描述Pull-in現(xiàn)象的參數(shù)化分析公式。 在后續(xù)章節(jié)中以結(jié)構(gòu)-靜電耦合場為基礎(chǔ),利用ANSYS軟件并對所設(shè)計單元包括在模態(tài)、諧響應(yīng)頻率以及吸合電壓等在內(nèi)的靜態(tài)和動態(tài)特性參數(shù)進行研究,用以驗證所設(shè)計出的微反射鏡陣列單元的結(jié)構(gòu)合理性。論文最后結(jié)合微驅(qū)動器工作性能要求及制作工藝的實現(xiàn),提出了微反射鏡陣列單元總體工藝流程設(shè)計。針對金屬雙層布線工藝進行重點研究,,選取合適的雙層布線金屬以及絕緣層材料,并針對金屬鍍層的剝離、絕緣層的沉積和反應(yīng)離子刻蝕工藝進行了介紹。通過分析聚酰亞胺的特性,研究了包括固化、孔槽制作及釋放在內(nèi)的犧牲層制作工藝,隨后借助氧等離子干法刻蝕工藝釋放出犧牲層,制得可動的微反射鏡結(jié)構(gòu)。 在論文最后對于全文主要工作和存在的問題進行了總結(jié),并提出了今后的重點研究方向。
【關(guān)鍵詞】:MEMS 微鏡陣列單元 Pull-in現(xiàn)象 機電耦合 犧牲層制作
【學(xué)位授予單位】:杭州電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:TH-39
【目錄】:
- 摘要5-6
- ABSTRACT6-10
- 第1章 緒論10-17
- 1.1 微機電系統(tǒng)的概念描述與特點10-11
- 1.2 MEMS 起源和發(fā)展歷程11-13
- 1.3 MEMS 典型應(yīng)用及研究實例13-14
- 1.3.1 MEMS 微鏡陣列簡介13
- 1.3.2 微鏡陣列在光通信領(lǐng)域中的應(yīng)用13-14
- 1.3.3 微鏡陣列在投影顯示領(lǐng)域中的應(yīng)用14
- 1.4 微鏡陣列在國內(nèi)外的研究現(xiàn)狀14-16
- 1.4.1 國外的發(fā)展現(xiàn)狀14-15
- 1.4.2 國內(nèi)的發(fā)展現(xiàn)狀15-16
- 1.5 本文主要內(nèi)容16-17
- 第2章 微機電系統(tǒng)理論基礎(chǔ)17-27
- 2.1 微梁力學(xué)基礎(chǔ)17-23
- 2.1.1 應(yīng)力與應(yīng)變18-19
- 2.1.2 懸臂梁彎曲分析19-22
- 2.1.3 懸臂梁扭轉(zhuǎn)分析22-23
- 2.2 MEMS 微驅(qū)動器23-26
- 2.2.1 靜電驅(qū)動方式24
- 2.2.2 壓電驅(qū)動方式24-25
- 2.2.3 電磁驅(qū)動方式25-26
- 2.2.4 熱驅(qū)動方式26
- 2.3 本章小結(jié)26-27
- 第3章 微鏡陣列單元設(shè)計與工作穩(wěn)態(tài)分析27-41
- 3.1 引言27
- 3.2 結(jié)構(gòu)模型及工作原理27-28
- 3.3 微鏡單元尺寸設(shè)計28-32
- 3.3.1 微鏡面的尺寸28-30
- 3.3.2 微鏡單元的間距30
- 3.3.3 微鏡支柱30-31
- 3.3.4 扭臂設(shè)計31
- 3.3.5 微鏡單元設(shè)計尺寸31-32
- 3.4 微鏡單元的靜態(tài)模型32-40
- 3.4.1 靜電力矩32-34
- 3.4.2 扭臂力矩34-35
- 3.4.3 微鏡工作穩(wěn)態(tài)分析35-38
- 3.4.4 幾何參數(shù)對微鏡單元穩(wěn)態(tài)特性的影響38-40
- 3.5 本章小結(jié)40-41
- 第4章 微鏡陣列單元有限元模擬分析41-56
- 4.1 有限元及其在耦合場中的應(yīng)用41-43
- 4.1.1 有限元的基本概念41
- 4.1.2 ANSYS 軟件簡介41-42
- 4.1.3 耦合場分析42-43
- 4.2 微鏡單元的 ANSYA 分析步驟43-49
- 4.2.1 建立幾何模型43-44
- 4.2.2 網(wǎng)格劃分44-45
- 4.2.3 創(chuàng)建結(jié)構(gòu)場和電場物理環(huán)境文件45-46
- 4.2.4 創(chuàng)建降階模型46
- 4.2.5 有限元仿真參數(shù)化模型的建立46-49
- 4.3 有限元仿真結(jié)果分析49-55
- 4.3.1 模態(tài)分析49-52
- 4.3.2 諧響應(yīng)分析52-54
- 4.3.3 微鏡吸合特性分析54-55
- 4.4 本章小結(jié)55-56
- 第5章 微鏡陣列單元制作工藝流程設(shè)計56-69
- 5.1 微鏡單元設(shè)計概述56-60
- 5.1.1 微鏡單元設(shè)計材料選取56-57
- 5.1.2 微鏡單元制備工藝流程57-60
- 5.2 下電極的制作60-62
- 5.2.1 光刻工藝60-61
- 5.2.2 下電極鋁薄膜薄膜淀積61-62
- 5.3 金屬線間絕緣層的布置62-64
- 5.3.1 二氧化硅絕緣層布置的技術(shù)要求62
- 5.3.2 化學(xué)氣相沉積法制取二氧化硅62-63
- 5.3.3 二氧化硅的刻蝕63-64
- 5.4 鏡面電極的制作64
- 5.5 懸浮微鏡結(jié)構(gòu)的制作64-67
- 5.5.1 犧牲層材料的選用要求64
- 5.5.2 犧牲層的選取64-65
- 5.5.3 運用聚銑亞胺旋涂犧牲層65-66
- 5.5.4 化學(xué)鍍鎳法制作微鏡支柱66-67
- 5.5.5 犧牲層的釋放67
- 5.6 本章小結(jié)67-69
- 第6章 總結(jié)與展望69-71
- 6.1 全文總結(jié)69
- 6.2 工作展望69-71
- 致謝71-72
- 參考文獻72-75
- 附錄75
【參考文獻】
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本文編號:287691
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