目的：對病態(tài)竇房結綜合征患者按照體表心電圖II導聯(lián)P波時限是否≥120ms分為2組，每組內隨機將心房電極植入低位房間隔和右心耳，術中插入冠狀竇電極以測量不同心房起搏部位下P波至左房傳導時間及左側房室間期與術前及組間比較，術后平均隨訪10±5月，比較組間新發(fā)房顫發(fā)生率，評價低位房間隔起搏對病竇綜合征患者起搏器術后新發(fā)房顫發(fā)生率的短期影響。方法：選擇2012年3月至2013年9月在本院住院的82例病竇綜合征患者，男27例，女55例，年齡45～86（67±10）歲。術前常規(guī)檢查排除房顫、雙結病變、心臟瓣膜病、甲亢、慢阻肺、心肌病、心衰及惡性腫瘤患者及手術禁忌，術前測量體表心電圖P波時限，P波離散度，根據II導聯(lián)P波時限分為房間傳導阻滯組（Interatrial conduction block group，IAB group，P≥120ms）及無房間傳導阻滯組（non-Interatrial conduction block group，non-IAB group，P<120ms），均植入雙腔起搏器。術中植入冠狀竇電極用于測量心內電生理參數(shù)，2組再根據隨機植入的心房電極位置不同分為低位... 

【文章來源】：安徽醫(yī)科大學安徽省

【文章頁數(shù)】：50 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
中英文縮寫詞對照
中文摘要
Abstract
1.前言
2.材料與方法
3.結果
4.討論
5.結論
6.參考文獻
附錄
致謝
綜述
    參考文獻



本文編號：3639808