【摘要】：目的:額葉癲癇(Frontal lobe epilepsy,FLE)是常見的一種癲癇類型,占難治性癲癇的15%,其中約21%~67%的癲癇患者伴有不同嚴(yán)重程度的認(rèn)知功能損害,工作記憶(working memory,WM)障礙是其主要臨床表現(xiàn),嚴(yán)重影響著患者的治療預(yù)后及其生活質(zhì)量。Theta振蕩主要在前額葉產(chǎn)生,持續(xù)存在于WM延遲期,對信息維持起重要作用。本文通過對FLE患者靜息態(tài)和WM延遲期的多通道腦電(Multi-channel electroencephalographs,EEGs)分析,研究FLE工作記憶過程中theta振蕩的特征,探討FLE工作記憶障礙可能的神經(jīng)機(jī)制,為積極治療癲癇患者的認(rèn)知功能障礙提供理論支持。方法:1、募集就診于天津醫(yī)科大學(xué)總醫(yī)院的神經(jīng)內(nèi)科癲癇門診的19例額葉癲癇患者為FLE組,招募17例年齡、性別等與患者組相匹配的健康志愿者為對照組,兩組受試者均進(jìn)行視覺工作記憶任務(wù)(延遲樣本匹配范式)的測試,分別計(jì)算兩組平均反應(yīng)時(shí)間及正確率,比較分析兩組工作記憶行為學(xué)表現(xiàn)的差別。2、采集受試者在靜息狀態(tài)下及執(zhí)行視覺工作記憶任務(wù)時(shí)的同步34通道頭皮腦電信號,對采集的原始腦電信號進(jìn)行預(yù)處理:濾除工頻干擾,去除基線漂移、眼動(dòng)及肌電產(chǎn)生的偽跡。3、通過短時(shí)傅里葉變換進(jìn)行時(shí)頻分析,計(jì)算各頻段及34通道和不同腦區(qū)的平均能量密度,分析不同頻段的能量密度百分比及其能量密度的空間分布,明確工作記憶的特征頻段及特征通道;分析比較兩組靜息態(tài)和WM維持期在關(guān)鍵腦區(qū)及關(guān)鍵通道的theta振蕩變化。4、FLE組和對照組基本信息的比較采用獨(dú)立樣本t檢驗(yàn)和χ~2檢驗(yàn)(Fisher確切概率法);采用獨(dú)立樣本t檢驗(yàn)分析兩組WM行為學(xué)表現(xiàn)及其相關(guān)的theta頻段能量密度差異;分別對FLE組和對照組WM延遲期5個(gè)頻段的能量密度百分比進(jìn)行單因素方差分析(one-way ANOVA),組間多重比較行LSD-t檢驗(yàn);結(jié)果用均數(shù)±標(biāo)準(zhǔn)誤(mean±SEM)表示,以P0.05為差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義。結(jié)果:1、WM行為學(xué)結(jié)果:FLE組與對照組的反應(yīng)時(shí)間分別為944.51±31.90ms和723.12±43.46ms,FLE組與對照組的工作記憶任務(wù)正確率分別為92.67±1.14%、95.96±0.92%,與健康對照組對比,FLE組的反應(yīng)時(shí)間顯著延長(P0.001)、正確率顯著降低(P0.05);2、FLE組和對照組靜息態(tài)Fz通道theta頻段的能量密度分別為1.9979±0.1018 uV~2/Hz、0.5410±0.0053uV~2/Hz,FLE組和對照組靜息態(tài)額區(qū)theta頻段的能量密度分別為1.4553±0.0733uV~2/Hz、0.3898±0.0034 uV~2/Hz,FLE組靜息態(tài)在Fz通道及額區(qū)的theta能量密度均較健康對照組顯著增加(均P0.001);3、相較于健康對照組,FLE組在工作記憶延遲期額區(qū)的theta振蕩能量密度顯著降低。結(jié)論:1、FLE存在明顯工作記憶障礙,表現(xiàn)為反應(yīng)時(shí)間延長、正確率下降;2、FLE工作記憶延遲期theta振蕩的降低是FLE工作記憶障礙可能的神經(jīng)機(jī)制之一;3、FLE靜息態(tài)theta振蕩的增強(qiáng)可能導(dǎo)致了其工作記憶過程中theta振蕩的減弱。
[Abstract]:Objective: (Frontal lobe epilepsy,FLE is a common type of seizures, accounting for 15% of refractory seizures, of which about 21% 鈮，

本文編號：2479353