基于石墨烯的光子學器件的研究
本文關鍵詞:基于石墨烯的光子學器件的研究
更多相關文章: 石墨烯 特異介質 吸波器件 太赫茲 雙曲性 磁光 偏振 慢波
【摘要】:石墨烯具有相當奇特的各種性質,而基于石墨烯的微納光子學的研究正引起人們廣泛的關注,相關的研究進展涉及了許多的應用,包括基于石墨烯的光學調制器、變換光學、場效應管以及其他器件。石墨烯除了作為世界上最薄的材料之外,更有物理柔性、極高的電子遷移率以及通過外加電壓或者化學參雜的方法控制其載流子濃度的特性。在本論文中,我們研究了基于石墨烯的一些光子學器件,其中包括太赫茲的寬帶吸波器、圓偏振的分光器以及磁光克爾效應增強器件等三方面的研究。首先,我們提出了一種在金屬基底上基于石墨烯/介質層堆棧而成的類金字塔結構的陣列太赫茲吸波材料。這里多層的石墨烯/介質層的堆棧結構在太赫茲波長下不僅可以是認為在各方向上是均勻的,而且材料本身更具有雙曲特性,因此其等效介電常數是各向異性的。石墨烯的表面等離子被激發(fā),同時入射電磁波的不同波長分量會被局域在類金字塔結構的不同寬度處,進而被損耗介質吸收,而這種寬帶吸波的效果可以被漸變寬度波導的慢波效應所解釋。最后,我們指出了由于周期性模式的存在而造成的吸收譜在某一頻率的下降。因此可以通過結構的優(yōu)化設計,來抑制周期模式的激發(fā),從而實現超寬帶的吸波效果。第二,我們同樣設計了一種石墨烯/介質層堆棧結構的材料,可以同時利用整體材料的零介電常數以及石墨烯較高的霍爾電導率的特點。這種亞波長周期結構的器件能夠對不同的圓偏振光進行有效的控制。在較寬的頻率以及較大的入射角范圍內,這種基于磁光效應的器件能表現出對不同圓偏振光的選擇性透過。而這種效果可以進一步通過改變外加磁場強度以及石墨烯的化學勢進行調控。第三,我們研究了利用石墨烯帶的表面等離子體以及法布里-帕羅干涉來增強器件的磁光克爾旋轉的效應。當6 THz的電磁波入射到外加4T磁場強度的覆蓋有單層的石墨烯帶的器件上時,產生的磁光克爾旋轉角可以達到15度。而這種磁光克爾效應的增強可以在很大的入射角度范圍內實現。最后,總結了全文,同時對未來基于石墨烯的光子學器件的研究提出了展望。
【關鍵詞】:石墨烯 特異介質 吸波器件 太赫茲 雙曲性 磁光 偏振 慢波
【學位授予單位】:浙江大學
【學位級別】:博士
【學位授予年份】:2015
【分類號】:TN25
【目錄】:
- 致謝5-6
- 摘要6-7
- Abstract7-11
- 第1章 緒論11-30
- 1.1 石墨烯研究的歷史和基礎11-18
- 1.1.1 從爭議的理論模型到諾貝爾物理學獎11-13
- 1.1.2 石墨烯的能帶結構13-15
- 1.1.3 石墨烯的一些基本物理性質15-18
- 1.2 石墨烯的實驗制備和探測18-23
- 1.2.1 石墨烯的制備方法18-21
- 1.2.2 石墨烯的結構表征技術21-23
- 1.3 石墨烯在光子學器件中的應用23-28
- 1.3.1 光電探測器23-25
- 1.3.2 光調制器25-26
- 1.3.3 光偏振控制器26-28
- 1.4 本論文的研究內容和創(chuàng)新點28-30
- 第2章 基于石墨烯的光學可調材料30-46
- 2.1 石墨烯的光學電導率30-34
- 2.2 石墨烯表面等離子體的理論模型34-41
- 2.2.1 傳統(tǒng)IMI波導的表面等離子體色散特性34-38
- 2.2.2 石墨烯表面等離子體的色散特性38-41
- 2.3 基于石墨烯可調的雙曲超材料41-44
- 2.4 本章小結44-46
- 第3章 基于石墨烯的寬帶吸波46-66
- 3.1 寬帶吸波器件的設計47-53
- 3.1.1 結構模型與材料參數47-50
- 3.1.2 寬帶吸波的效果50-52
- 3.1.3 等效介質模型52-53
- 3.2 寬帶吸波的慢波理論53-59
- 3.2.1 模擬結果的場分布53-55
- 3.2.2 慢波模式的理論分析55-59
- 3.3 介質層厚度對吸收的影響59-61
- 3.4 吸波模型的改進61-65
- 3.4.1 存在的周期模式61-64
- 3.4.2 消除周期模式的影響64
- 3.4.3 模型在波段上的可擴展性64-65
- 3.5 本章小結65-66
- 第4章 基于石墨烯的圓偏振分光器件66-87
- 4.1 介電常數接近零的磁性超材料67-71
- 4.1.1 物理模型67-69
- 4.1.2 基于石墨烯ENZ材料的參數研究69-71
- 4.2 器件對不同圓偏振的調控71-78
- 4.2.1 理論基礎71-75
- 4.2.2 垂直入射的情況分析75-76
- 4.2.3 器件對不同圓偏振光的選擇性透過76-78
- 4.3 設計的圓偏振分光器件的性能研究78-85
- 4.3.1 不同磁場強度下的分光效果78-81
- 4.3.2 工作帶寬81-82
- 4.3.3 石墨烯化學勢的影響82-83
- 4.3.4 斜入射的情況83-85
- 4.4 本章小結85-87
- 第5章 基于石墨烯帶等離子體以及F-P腔的磁光克爾效應增強87-108
- 5.1 理論基礎87-100
- 5.2 器件模型及分析100-103
- 5.3 基于F-P增強的磁致旋光103-106
- 5.4 本章小結106-108
- 第6章 總結和展望108-111
- 參考文獻111-123
- 作者簡歷123
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,本文編號:747950
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