近年來(lái),以非晶銦鎵鋅氧(α-InGaZnO:IGZO)為代表的氧化物半導(dǎo)體得到了不斷發(fā)展與廣泛應(yīng)用。例如,基于IGZO溝道的薄膜晶體管(TFTs)已經(jīng)開始部分替代傳統(tǒng)非晶硅晶體管應(yīng)用在平板顯示器中。IGZO是一種性能優(yōu)異的n型氧化物半導(dǎo)體,電子遷移率高,帶隙較寬且在可見(jiàn)光范圍透明,可以低溫大面積均勻成膜,因此非常適用于透明柔性電子產(chǎn)品的制備。而隨著可穿戴設(shè)備的迅速發(fā)展,尋找適用于這些電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)器也越來(lái)越重要。在存儲(chǔ)器設(shè)備中,有兩類最基本的單元器件:選通晶體管和非易失性存儲(chǔ)單元器件,而這兩類器件單元就是本論文的研究重點(diǎn)。本論文的主要工作之一是研究適合作為選通晶體管應(yīng)用到存儲(chǔ)電路中的低電壓操作IGZO TFTs。另外,在目前商業(yè)應(yīng)用中仍是以電荷俘獲型存儲(chǔ)器(CTM)以及浮柵型存儲(chǔ)器(FGM)為主的非易失性存儲(chǔ)單元器件,而前者因?yàn)楦m用于現(xiàn)在的三維閃存(3DNAND)集成技術(shù),所以近年來(lái)得到了科研人員的廣泛關(guān)注與研究。但是,由于傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器件單元都是硅基器件,不適用于透明柔性電子產(chǎn)品當(dāng)中。因此,本論文的主要研究工作還包含了開發(fā)基于IGZO溝道的CTM器件,通過(guò)改善柵堆棧層的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)...

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【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１．２．１薄膜晶體管結(jié)構(gòu)示意圖

到人們的關(guān)注，??其中透明柔性的非易失性存儲(chǔ)器也是研宄重點(diǎn)因此想實(shí)現(xiàn)透明柔性的存儲(chǔ)??器，就需要同時(shí)實(shí)現(xiàn)這兩類基本單元的低溫制備。在接下來(lái)的１．２節(jié)中將主要介??紹可以起到選通作用的薄膜晶體管，１．３節(jié)中圍繞傳統(tǒng)電荷俘獲型存儲(chǔ)單元進(jìn)行??介紹，１．４節(jié)則以阻變存儲(chǔ)器為主，對(duì)新型存....

圖１．２．２晶態(tài)和非晶態(tài)半導(dǎo)體中載流子的傳輸

ｒ?ｅｘａｎ＾ｊｔｅ．?ｍＵｃｏｎ?Ｐｏｓｔ－ｔｒａｎｓｉｔｉｏｏ－ｍｅｌａｉ?ｏｘｉｄｅ?ｓｅｍｓｃｏｎｄｏｃｔｏｒｔ??匿禱虛盞??Ｆｉｇｕｒｅ?１．２．２?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｃａｒｒｉｅｒ?ｔｒａｎｓｐｏｒｔ?ｐａｔｈｓ?ｉｎ?ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ....

圖１．３．２（３壞０１＾和（的０頂存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)示意圖

ｒｏｌ?Ｇａｔｅ??ｙＢｌｏｃｋｉｎｇ?Ｏｘｉｄｅ?Ｂｌｏｃｋｉｎｇ?Ｏｘｉｄｅ??｜?ｔ／Ｆｌｏａｔｉｎｇ?Ｇａｔｅ?、?ｆ?］／Ｓｔｏｒａｇｅ?Ｌａｙｅｒ?（Ｎｉｔｒｉｄｅ）??一?——ｊ＾Ｔｕ＾�。椋睿�?〇Ｘ氣贏?－＾Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ?Ｏｘｉｄｅ??＞ｓｉ?：?Ｌ」……Ｊ....

圖１．３．３（ａ）浮柵存儲(chǔ)器編程、擦除時(shí)／Ｄ－ＦＧ變化曲線

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