本文關鍵詞：膠體半導體納米晶消光系數(shù)的研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：半導體納米晶由于其獨特的光電性質受到研究者的廣泛關注。在過去的幾年里,研究者主要集中在納米晶的合成與性質研究方面。近年來,隨著科技的發(fā)展,半導體納米技術愈加成熟,諸多半導體已經(jīng)在現(xiàn)實生活中得到了廣泛的應用,其中最為普通的半導體納米晶是II-VI和III-V族。除了典型的主族半導體,近年來,多元組分半導體納米晶也走入了人們的視野。而隨著半導體納米晶發(fā)展越來越迅速,對半導體納米晶的定量已經(jīng)十分重要。而吸光光度法在半導體納米晶領域的運用為其定量分析鋪平了道路�；诖�,本論文作了如下研究:1.首先研究了多元體系半導體納米晶的消光系數(shù)。合成了尺寸分布均一、粒徑可調的Cu In S2和Cu In Zn S3納米粒子以及單分散的Ag In S2納米粒子,通過尺寸和吸收帶邊的一一對應關系,根據(jù)朗博比爾定律,用實驗的方法給出了Cu In S2和Cu In Zn S3多元納米晶材料的消光系數(shù)與尺寸的關系曲線,為納米晶的定量分析提供了數(shù)據(jù)基礎。2.以多元納米晶如Cu In S2、Cu In Zn S3和二元Cd Se納米粒子為模型體系,通過制備不同尺寸立方閃鋅礦結構和六方纖鋅礦結構的Cd Se、Cu In S2和Cu In Zn S3納米粒子,根據(jù)朗博比爾定律,實驗開展了不同晶體結構的納米晶消光系數(shù)的研究。實驗表明:不同晶體結構的納米晶的消光系數(shù)顯示出微小的差別。其變化規(guī)律是在小尺寸納米晶時候,晶體結構對消光系數(shù)影響較小。隨著納米晶尺寸增大,不同晶結構的納米晶消光系數(shù)差別逐漸增大。3.我們對核殼結構半導體納米粒子消光系數(shù)的變化規(guī)律進行了研究。我們分別以Cd Se/Cd S和Cd Se/Zn S為模型,研究了不同殼層厚度、不同核尺寸條件下的消光系數(shù),最終得到了核殼納米粒子消光系數(shù)隨殼層厚以及核尺寸的變化規(guī)律。核殼納米晶消光系數(shù)研究,為納米晶進一步應用提供數(shù)據(jù)支撐。4.在得到了多元半導體納米粒子的消光系數(shù)之后,我們對二元(Cd S和Zn S)、三元(Cu In S2)和四元(Zn Cu In S3和Cd Cu In S3)納米晶消光系數(shù)之間的關系進行了系統(tǒng)研究。通過二元線性回歸分析將不同組成的多元納米粒子的消光系數(shù)建立起了聯(lián)系。多元納米晶消光系數(shù)之間關系研究,進一步加深對材料物理化學性質的理解,為多元納米材料的研究提供實驗基礎。
【關鍵詞】：半導體納米晶 消光系數(shù) 多組分 晶體結構 核殼結構
【學位授予單位】：吉林大學
【學位級別】：博士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TN304;TB383.1
【目錄】：

• 內(nèi)容提要4-9
• 第一章 前言9-42
• 1.1 半導體納米晶的概述9-16
• 1.1.1 量子尺寸效應10-12
• 1.1.2 表面效應12-13
• 1.1.3 膠體特性13
• 1.1.4 核殼包覆13-16
• 1.2 多元半導體納米晶16-18
• 1.3 半導體納米晶消光系數(shù)18-27
• 1.4 本文的立題思想與主要內(nèi)容27-29
• 參考文獻29-42
• 第二章 多元半導體納米晶消光系數(shù)的研究42-67
• 2.1 引言42-43
• 2.2 實驗部分43-47
• 2.2.1 試劑與藥品43
• 2.2.2 儀器與測試43-44
• 2.2.3 反應前體的制備44
• 2.2.4 CuInS_2、Ag In S2和Cu In ZnS3半導體納米晶的制備44-46
• 2.2.5 樣品的提純46-47
• 2.2.6 樣品的消解47
• 2.3 結果與討論47-62
• 2.3.1 樣品的光譜及TEM表征47-50
• 2.3.2 樣品的XRD表征50-51
• 2.3.3 確定吸收值51-53
• 2.3.4 樣品的提純53
• 2.3.5 溶解納米晶進行元素分析53-54
• 2.3.6 CuInS_2納米晶消光系數(shù)的計算54-57
• 2.3.7 通過理論計算對納米晶消光系數(shù)的驗證57-60
• 2.3.8 AgInS_2納米晶消光系數(shù)的計算60-62
• 2.4 本章小結62-63
• 參考文獻63-67
• 第三章 不同晶體結構的納米晶消光系數(shù)研究67-82
• 3.1 引言67-68
• 3.2 實驗部分68-71
• 3.2.1 試劑與藥品68
• 3.2.2 儀器與測試68
• 3.2.3 閃鋅礦結構CdSe納米晶的制備68-69
• 3.2.4 纖鋅礦結構CuInS_2和Cu In ZnS3納米晶的制備69-71
• 3.3 結果與討論71-78
• 3.3.1 樣品的表征71-76
• 3.3.2 元素分析76-78
• 3.4 本章小結78-80
• 參考文獻80-82
• 第四章 核殼型納米晶消光系數(shù)的研究82-98
• 4.1 引言82-83
• 4.2 實驗部分83-86
• 4.2.1 試劑與藥品83
• 4.2.2 儀器與測試83-84
• 4.2.3 CdSe納米晶的制備84
• 4.2.4 CdSe納米晶的提純和樣品的消解84-85
• 4.2.5 CdSe/CdS和CdSe/ZnS核殼納米晶的制備85
• 4.2.6 CdSe/CdS和CdSe/ZnS納米晶的提純85-86
• 4.3 結果與討論86-95
• 4.3.1 樣品的光譜及TEM表征86-88
• 4.3.2 元素分析88-89
• 4.3.3 CdSe/CdS和CdSe/ZnS核殼結構納米晶消光系數(shù)的測定89-95
• 本章小結95-96
• 參考文獻96-98
• 第五章 半導體納米晶消光系數(shù)的關系98-112
• 5.1 引言98-99
• 5.2 實驗部分99-101
• 5.2.1 試劑與藥品99
• 5.2.2 儀器與測試99
• 5.2.3 反應前體的制備99-100
• 5.2.4 ZnS納米晶的制備100
• 5.2.5 CuInCdS_3納米晶的制備100-101
• 5.2.6 粒子的提純和樣品的消解101
• 5.3 結果與討論101-108
• 5.3.1 ZnS納米晶的制備及性質表征101-102
• 5.3.2 ZnS納米晶的消光系數(shù)102-103
• 5.3.3 ZnS、CuInS_2和CuInZnS_3納米晶消光系數(shù)的關系103-105
• 5.3.4 CuInCdS_3納米晶的合成及其結果表征105-107
• 5.3.5 CuInCdS_3納米晶的消光系數(shù)107
• 5.3.6 CdS、CuInS_2和CuInCdS_3三種納米晶消光系數(shù)之間的關系107-108
• 本章小結108-110
• 參考文獻110-112
• 中文摘要112-114
• Abstract114-117
• 就讀期間發(fā)表論文117-118
• 致謝118

【參考文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 馮麗;梁曉娟;向衛(wèi)東;楊帆;鐘家松;;不同結構CuInZnS_2納米晶的簡單合成及其非線性光學特性（英文）[J];稀有金屬材料與工程;2012年S3期

2 劉玉敏;俞重遠;任曉敏;;Approximate calculation of electronic energy levels of axially symmetric quantum dot and quantum ring by using energy dependent effective mass[J];Chinese Physics B;2009年01期

  本文關鍵詞：膠體半導體納米晶消光系數(shù)的研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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本文編號：344895