目的分析非瓣膜性心房顫動(房顫)射頻消融患者術中應用壓力標測導管雙極標測確定的左房低電壓與臨床危險因素的相關性,以及對射頻消融術后房顫復發(fā)的預測價值。方法選取2017年1月1日至2018年12月31日重慶醫(yī)科大學附屬第一醫(yī)院收治并行房顫導管射頻消融術的112例患者,根據(jù)術中應用壓力標測導管進行左房雙極電壓標測結果分為存在低電壓區(qū)組(Low voltage zone,LVZ組)和無低電壓區(qū)組(Non-low voltage zone,NLVZ組),并收集性別、年齡、體重指數(shù)、房顫類型、糖尿病史、高血壓病史、冠心病史、陳舊性腦梗死病史、吸煙及飲酒史、CHA2DS2-VASc評分、HAS-BLED評分、BNP、hsCRP、左房內(nèi)徑等相關臨床資料,術后嚴密隨訪房顫復發(fā)。探討LVZ與臨床指標之間的關系,評估LVZ及其他危險因素對房顫射頻消融術后復發(fā)的預測價值。結果共有112例患者入選,其中陣發(fā)性房顫患者76例,持續(xù)性房顫患者36例。34例患者存在左房低電壓區(qū)。平均隨訪13個月,28例患者出現(xiàn)了房顫復發(fā)。LVZ組持續(xù)性房顫、飲酒史、冠心病、陳舊性腦梗死患者比例均明顯高于NLVZ組(P值均<0...

【文章頁數(shù)】：38 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
英漢縮略語名詞對照
中文摘要
英文摘要
前言
1 方法
    1.1 一般資料
    1.2 研究對象
    1.3 研究方法
2 結果
    2.1 基線資料
    2.2 LVZ組與NLVZ組資料比較
    2.3 左房LVZ與臨床危險因素的相關性分析
    2.4 復發(fā)組與未復發(fā)組臨床資料比較
    2.5 非瓣膜性房顫射頻消融術后復發(fā)的危險因素分析
3 討論
4 結論
參考文獻
文獻綜述:腦鈉肽在房顫發(fā)生中的預測價值
    參考文獻
致謝
碩士期間發(fā)表論文



本文編號：3789803