自2004年發(fā)現(xiàn)石墨烯以來(lái),二維材料的研究成了當(dāng)下的研究熱點(diǎn)。二硒化錫（SnSe2）因?yàn)槠洫?dú)特的性能引起了不少科學(xué)家的興趣,展開了廣泛的討論與研究,然而關(guān)于它的摻雜產(chǎn)物SnS2-xSex材料的報(bào)道卻在少數(shù)。這是由于目前制備高質(zhì)量超薄的SnS2-xSex材料存在很大的挑戰(zhàn),同時(shí)關(guān)于不同摻雜程度的SnS2-xSex材料XRD圖譜與拉曼光譜的報(bào)道也很少。針對(duì)上述問題,本文采用化學(xué)氣相沉積（CVD）法在含二氧化硅層的硅片上制備二硒化錫,在云母片上制備了SnS2-xSex材料,并通過光學(xué)顯微鏡、XRD等技術(shù)手段對(duì)其形貌、結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,同時(shí)對(duì)它們的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了研究。通過不同厚度的SnSe2納米片的拉曼光譜的比較,我們發(fā)現(xiàn)其厚度與拉曼峰的偏移存在一定的關(guān)系。通過不同摻雜濃度的SnS2-xSex材料的XRD圖譜與拉曼光譜,我們可以估計(jì)SnS2-xSex摻雜濃度。通過紫外可見吸收光譜與光致發(fā)光光譜計(jì)算,我們得到的SnS2-xSex材料的禁帶寬度,發(fā)現(xiàn)了摻雜可以改變材料的帶隙,為以后的研究給出了好的方案。主要內(nèi)容具體包括:（1）采用改進(jìn)的CVD法制備了大面積的SnSe2材料,并對(duì)其樣貌、結(jié)構(gòu)和晶體質(zhì)量... 

【文章頁(yè)數(shù)】：51 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    第一節(jié) 引言
    第二節(jié) 二維材料的分類
        一、單質(zhì)及硼碳氮二維材料
        二、過渡金屬硫?qū)倩衔?br>        三、非過渡金屬硫族化合物二維材料
    第三節(jié) SnS_(2-x)Se_x材料
    第四節(jié) 論文的選題依據(jù)及內(nèi)容
第二章 二維材料的制備與表征
    第一節(jié) 二維材料的制備方法
        一、水熱法
        二、分子束外延法
        三、機(jī)械剝離法
        四、化學(xué)氣相沉積法
    第二節(jié) 二維SnS_(2-x)Se_x的表征方法
        一、光學(xué)顯微鏡
        二、掃描電子顯微鏡
        三、原子力顯微鏡
        四、X射線光電子能譜
        五、X射線衍射
        六、拉曼光譜
        七、紫外可見吸收光譜
        八、光致發(fā)光光譜
第三章 二硒化錫的制備與物性研究
    第一節(jié) 實(shí)驗(yàn)方法
    第二節(jié) 結(jié)果與討論
        一、樣貌分析
        二、光學(xué)性質(zhì)的研究
    第三節(jié) 結(jié)論
第四章 SnS_(2-x)Se_x材料的物性與光學(xué)性質(zhì)研究
    第一節(jié) 實(shí)驗(yàn)方法
    第二節(jié) 結(jié)果與討論
        一、樣貌分析
        二、物性研究
        三、光學(xué)性質(zhì)研究
    第三節(jié) 結(jié)論
第五章 總結(jié)
    第一節(jié) 主要結(jié)論和創(chuàng)新點(diǎn)
    第二節(jié) 工作展望
參考文獻(xiàn)
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]掃描電子顯微鏡的工作原理及應(yīng)用[J]. 凌妍,鐘嬌麗,唐曉山,李棟宇.  山東化工. 2018(09)
[2]X射線衍射技術(shù)在材料分析中的應(yīng)用[J]. 田志宏,張秀華,田志廣.  工程與試驗(yàn). 2009(03)
[3]原子力顯微鏡的基本原理及其方法學(xué)研究[J]. 朱杰,孫潤(rùn)廣.  生命科學(xué)儀器. 2005(01)



本文編號(hào)：3715511