二氧化硅均孔膜支撐的納米液/液界面陣列電分析化學(xué)研究
發(fā)布時(shí)間:2021-08-02 19:48
液/液界面(Liquid/Liquid Interface, L/L interface)又稱兩種互不相溶電解質(zhì)溶液界面(Interface between Two Immiscible Electrolyte Solutions, ITIES),與傳統(tǒng)的固/液界面相比,液/液界面電化學(xué)不僅可以研究電子轉(zhuǎn)移反應(yīng)還可以研究離子轉(zhuǎn)移反應(yīng)。因此,利用液/液界面電化學(xué)法能夠?qū)Ψ茄趸原活性物質(zhì)進(jìn)行無(wú)標(biāo)記分析檢測(cè)。界面的微型化一直是液/液界面電化學(xué)研究的一個(gè)前沿領(lǐng)域。通過微型化液/液界面可以補(bǔ)償體系的歐姆降,減小充電電流。同時(shí),隨著界面尺寸從毫米級(jí)降至納米級(jí),界面上的傳質(zhì)顯著提高。目前,構(gòu)建納米液/液界面(nano-ITIES)的方法主要有兩種,即將界面支撐在納米管或納米多孔材料上。其中,納米多孔膜支撐的液/液界面因其獨(dú)特的界面結(jié)構(gòu)而具有特殊的電化學(xué)性質(zhì),如電荷選擇性、尺寸選擇性等,從而在電荷轉(zhuǎn)移反應(yīng)的研究以及分子分離檢測(cè)等領(lǐng)域中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。本論文主要以二氧化硅均孔膜(Silica Isoporous Membrane, SIM)為支撐構(gòu)建納米液/液界面陣列(SIM/nano-ITIES...
【文章來源】:浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:99 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.2寓子在微管界面間轉(zhuǎn)移形成的不對(duì)稱擴(kuò)敢場(chǎng)(a)和循環(huán)伏安圖(b)間??
1.1.1微/納米管支撐的液/液界面??離子在微管支撐的微液/液界面間(W下簡(jiǎn)稱微管界面)轉(zhuǎn)移產(chǎn)生不對(duì)稱箱??環(huán)伏安電流曲線[9]。如圖1.2所示,離子轉(zhuǎn)移出微管的過程是線性擴(kuò)散,得到峰??型伏安曲線,且峰電流值與掃速的關(guān)系滿足Randles-SevC化關(guān)系定律。而當(dāng)離子??轉(zhuǎn)移進(jìn)入微管時(shí)得到S型電流曲線,表明此時(shí)界面上是球形擴(kuò)散,這與低掃速下??金屬微圓盤電極表面物質(zhì)擴(kuò)散形式相同UW,可近似用金屬微圓盤電極模型來處??理。此時(shí),離子在微管界面間轉(zhuǎn)移的球形擴(kuò)散穩(wěn)態(tài)電流為[u’i2]:??^'pip?=?MFDcr?(1.1)??其中,D和c分別為轉(zhuǎn)移離子的擴(kuò)散系數(shù)和本體濃度。F,z和r分別為法拉第常??數(shù),轉(zhuǎn)移離子的電荷數(shù)W及微管半徑。金屬微圓盤電極和微管界面穩(wěn)態(tài)電流的表??達(dá)式不完全相同。在金屬微圓盤電極中系數(shù)^值為4,而微管界面的^值等于??3.3571
?第一黃緒論??構(gòu)的微孔界面兩側(cè)艱成不同形式的擴(kuò)散場(chǎng)(如圖1.4)。??d.l?圓?t'.r^??……:nVU^?…"",nU4^??IP。㈥??刪"1?w??(c)?oil??圖1.4離子在不同結(jié)構(gòu)的微孔界面間轉(zhuǎn)移的擴(kuò)散場(chǎng)示意圖。(a)凹嵌微圓盤電極界面,球形??-線性/線性-球形擴(kuò)散。(b)準(zhǔn)微圓盤電極界面,球形/球形擴(kuò)敵。(C)微孔道較長(zhǎng)(或擴(kuò)散??時(shí)間較疫)時(shí)的準(zhǔn)微圓盤電極界面,球形/線性擴(kuò)散。(d)微孔道內(nèi)充滿有機(jī)相的準(zhǔn)微圓盤??電極界面,球形/線性-球形擴(kuò)散??Josserand等U4喉擬了一類更常見的情況,即微孔界面位于孔道內(nèi),與孔口??分別相距如和成(如圖1.4a),則孔道長(zhǎng)度成■+成。在這種情況下,微孔界??面相當(dāng)于兩個(gè)相鄰的凹嵌微圓盤電極(recessed?microdisc?electrode)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Impact of an ionic surfactant on the ion transfer behaviors at meso-liquid/liquid interface arrays[J]. Kui Gao,Xu-Heng Jiang,Dao-Pan Hu,Shu-Juan Bian,Meng Wang,Yong Chen. Chinese Chemical Letters. 2015(03)
[2]乙酰螺旋霉素的液/液界面電化學(xué)研究[J]. 徐忠,李健. 中國(guó)現(xiàn)代應(yīng)用藥學(xué). 2001(05)
[3]膽堿類藥物的液液界面電化學(xué)研究[J]. 汪爾康,趙宇光,俞澤穆. 化學(xué)學(xué)報(bào). 1991(08)
[4]麥迪霉素的油/水界面循環(huán)伏安法研究及其測(cè)定[J]. 俞澤穆,趙宇光,郭渡,汪爾康,姜英夫. 應(yīng)用化學(xué). 1991(03)
本文編號(hào):3318167
【文章來源】:浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:99 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.2寓子在微管界面間轉(zhuǎn)移形成的不對(duì)稱擴(kuò)敢場(chǎng)(a)和循環(huán)伏安圖(b)間??
1.1.1微/納米管支撐的液/液界面??離子在微管支撐的微液/液界面間(W下簡(jiǎn)稱微管界面)轉(zhuǎn)移產(chǎn)生不對(duì)稱箱??環(huán)伏安電流曲線[9]。如圖1.2所示,離子轉(zhuǎn)移出微管的過程是線性擴(kuò)散,得到峰??型伏安曲線,且峰電流值與掃速的關(guān)系滿足Randles-SevC化關(guān)系定律。而當(dāng)離子??轉(zhuǎn)移進(jìn)入微管時(shí)得到S型電流曲線,表明此時(shí)界面上是球形擴(kuò)散,這與低掃速下??金屬微圓盤電極表面物質(zhì)擴(kuò)散形式相同UW,可近似用金屬微圓盤電極模型來處??理。此時(shí),離子在微管界面間轉(zhuǎn)移的球形擴(kuò)散穩(wěn)態(tài)電流為[u’i2]:??^'pip?=?MFDcr?(1.1)??其中,D和c分別為轉(zhuǎn)移離子的擴(kuò)散系數(shù)和本體濃度。F,z和r分別為法拉第常??數(shù),轉(zhuǎn)移離子的電荷數(shù)W及微管半徑。金屬微圓盤電極和微管界面穩(wěn)態(tài)電流的表??達(dá)式不完全相同。在金屬微圓盤電極中系數(shù)^值為4,而微管界面的^值等于??3.3571
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【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Impact of an ionic surfactant on the ion transfer behaviors at meso-liquid/liquid interface arrays[J]. Kui Gao,Xu-Heng Jiang,Dao-Pan Hu,Shu-Juan Bian,Meng Wang,Yong Chen. Chinese Chemical Letters. 2015(03)
[2]乙酰螺旋霉素的液/液界面電化學(xué)研究[J]. 徐忠,李健. 中國(guó)現(xiàn)代應(yīng)用藥學(xué). 2001(05)
[3]膽堿類藥物的液液界面電化學(xué)研究[J]. 汪爾康,趙宇光,俞澤穆. 化學(xué)學(xué)報(bào). 1991(08)
[4]麥迪霉素的油/水界面循環(huán)伏安法研究及其測(cè)定[J]. 俞澤穆,趙宇光,郭渡,汪爾康,姜英夫. 應(yīng)用化學(xué). 1991(03)
本文編號(hào):3318167
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