InAs/GaAs半導(dǎo)體量子點(diǎn)（quantum dots,QDs）許多獨(dú)特的物理性質(zhì),已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)發(fā)新一代光電子器件,深入研究InAs量子點(diǎn)的光電特性以及內(nèi)部載流子的動(dòng)力學(xué)機(jī)制,對(duì)于提高和優(yōu)化各類(lèi)InAs量子點(diǎn)光電器件的性能具有重要意義。本文將銻（Sb）元素分別加入到InAs/GaAs半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料的緩沖層表面、量子點(diǎn)內(nèi)和覆蓋層中等不同位置,利用熒光發(fā)射譜（Photoluminescence,PL）、熒光激發(fā)譜（Photoluminescence excitation spectrum,PLE）、時(shí)間分辨熒光譜（Time-Resolved Photoluminescence,TRPL）等光譜技術(shù)系統(tǒng)的研究比較了以上量子點(diǎn)納米材料的光致熒光特性和光生載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程,探討了Sb元素對(duì)InAs/GaAs量子點(diǎn)光學(xué)性質(zhì)的改性作用及內(nèi)含物理機(jī)理。主要研究包括以下三部分:（1）研究了Sb₂束流噴射GaAs緩沖層生長(zhǎng)界面對(duì)InAs量子點(diǎn)特性的影響。在0.013 ML/s的慢InAs生長(zhǎng)條件下,隨Sb₂束流噴射時(shí)間從0秒增加到100秒,量子點(diǎn)的高度... 

【文章來(lái)源】：河北大學(xué)河北省

【文章頁(yè)數(shù)】：71 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

MBE設(shè)備原理示意圖

W）模式以及島狀生長(zhǎng)（VW）模式之間的一種先層狀生長(zhǎng)后島狀生長(zhǎng)的生長(zhǎng)模式，如圖2-2所示。以InAs/GaAs量子點(diǎn)材料為例，由于二者之間較大的晶格失配度（約7%），InAs首先在清潔的GaAs襯底上以層狀方式生長(zhǎng)，通過(guò)彈性形變來(lái)適應(yīng)兩種材料之間的晶格失配。由于應(yīng)力不斷積累增加，當(dāng)薄膜沉積到一定厚度時(shí)，超過(guò)臨界點(diǎn)，生長(zhǎng)方式轉(zhuǎn)變?yōu)閸u狀生長(zhǎng)，形成InAs量子點(diǎn)（QDs）。InAs/GaAs量子點(diǎn)生長(zhǎng)的臨界厚度為1.6原子層（Monolayer，ML），在生長(zhǎng)初期形成的較薄的層狀結(jié)構(gòu)就是量子點(diǎn)的浸潤(rùn)層（wettinglayer,WL）[1,40]。圖2-2InAs/GaAs量子點(diǎn)的S-K生長(zhǎng)模式示意圖GaAs襯底GaAs襯底GaAs襯底浸潤(rùn)層（WL）InAs量子點(diǎn)（QD）

W）模式以及島狀生長(zhǎng)（VW）模式之間的一種先層狀生長(zhǎng)后島狀生長(zhǎng)的生長(zhǎng)模式，如圖2-2所示。以InAs/GaAs量子點(diǎn)材料為例，由于二者之間較大的晶格失配度（約7%），InAs首先在清潔的GaAs襯底上以層狀方式生長(zhǎng)，通過(guò)彈性形變來(lái)適應(yīng)兩種材料之間的晶格失配。由于應(yīng)力不斷積累增加，當(dāng)薄膜沉積到一定厚度時(shí)，超過(guò)臨界點(diǎn)，生長(zhǎng)方式轉(zhuǎn)變?yōu)閸u狀生長(zhǎng)，形成InAs量子點(diǎn)（QDs）。InAs/GaAs量子點(diǎn)生長(zhǎng)的臨界厚度為1.6原子層（Monolayer，ML），在生長(zhǎng)初期形成的較薄的層狀結(jié)構(gòu)就是量子點(diǎn)的浸潤(rùn)層（wettinglayer,WL）[1,40]。圖2-2InAs/GaAs量子點(diǎn)的S-K生長(zhǎng)模式示意圖GaAs襯底GaAs襯底GaAs襯底浸潤(rùn)層（WL）InAs量子點(diǎn)（QD）

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]量子點(diǎn)制備方法的研究進(jìn)展[J]. 王憶鋒.  紅外. 2008(11)



本文編號(hào)：3612380