Y 2 (Zr 1-x Ti x ) 2 O 7 和Ce 1-x Y x O 2-y 薄膜的制備及其微結構表征
發(fā)布時間:2020-12-04 05:15
緩沖層作為傳遞襯底織構及阻隔襯底與釔鋇銅氧(YBCO)超導層間元素擴散的重要中間層,已成為涂層導體的必要組成部分。目前常用的緩沖層的材料包括Ce02、Y203、La2Zr2O7、YSZ(氧化釔做穩(wěn)定劑的氧化鋯)等。然而,這些緩沖層材料仍存在諸如阻隔元素擴散能力差、多層緩沖架構過于復雜等不足之處,還需要進一步開發(fā)綜合性能更優(yōu)異的新型緩沖層材料。于是,本文通過研究不同陽離子比例的Y2(Zr1-xTix)2O7和Ce1-xYxO2-y薄膜的結構相變及高溫氧擴散行為,探討其作為涂層導體緩沖層使用的可行性。首先,使用六水硝酸釔、八水氧氯化鋯與鈦酸四丁酯為溶質,配制出了性能穩(wěn)定的摻鈦鋯酸釔Y2(Zr1-xTix)2O7(YZTO)溶膠。并通過溶膠-凝膠法分別在硅基片上制備了純相YZTO固溶體薄膜,在YSZ單晶基片上成功制備了(001)取向外延生長的YZTO薄膜。研究發(fā)現,隨著Y2Zr2O7中Ti4+的添加比例逐漸增加,直到Ti4+完全取代Zr4+,YZTO薄膜逐漸由完全的缺陷螢石結構向完全的燒綠石結構轉變;同時薄膜中的氧空位也從隨機排列向有序排列轉化;YZTO薄膜阻隔氧元素擴散的能力越來越強。其次...
【文章來源】:西安理工大學陜西省
【文章頁數】:58 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
YBCO超導體的晶體結構
西安理工大學碩士學位論文2因此而降低YBCO涂層導體的整體性能。所以緩沖層的研發(fā)就成了一項極為重要的任務。氧化鈰CeO2作為應用最多的緩沖層之一,已成為人們關注的焦點。此外,目前發(fā)展的超導緩沖層材料還有Y2O3、YSZ、MgO、NiO、SrTiO3、La2Zr2O7、Gd2Zr2O7、Gd2O3、Eu2O3等氧化物陶瓷[4,5]。1.2超導緩沖層的性能與結構1.2.1超導緩沖層的基本特性圖1-2為最常見的超導涂層導體的外部結構。超導涂層導體通常由最底層的金屬基帶、中間部分的緩沖層、緩沖層之上的YBCO超導層及頂部的保護層組成?捎米鞒瑢繉訉w金屬基帶的材料有鎳(Ni)及鎳合金(如Ni-Cr、Ni-W、Ni-V等合金),以此來滿足基帶要求的良好的機械性能及高溫穩(wěn)定性。基帶的作用是提供高度的雙軸織構,以獲得具有雙軸織構微觀組織的高性能YBCO帶材,進而提高其高溫超導性能;同時起支撐YBCO超導層的作用。圖1-2超導涂層導體的基本構造Fig.1-2Thebasicstructureofsuperconductingcoatedconductor緩沖層是由于兩層材料間存在晶格失配,用來實現應力釋放,以獲得較完美晶體質量的中間連接層。緩沖層有兩個主要作用:一是向YBCO超導層傳遞金屬基帶的織構以促使YBCO超導層按特定的c軸方向生長;二是阻隔金屬基帶與YBCO超導層間元素的互擴散,尤其是氧元素的擴散。緩沖層材料必須要有高度穩(wěn)定的化學與物理性質,以及對基底與超導層元素的隔離作用;同時還要求熱膨脹系數較小,且與基底和超導層的晶格匹配程度高等。另外,緩沖層還必須表面平整,粗糙度要求小,與金屬基帶附著性較好,這樣有利于超導層形核和生長。CeO2與YBCO的晶格失配率僅為0.12%[6];室溫及常壓下CeO2是Ce的最穩(wěn)定的化合物與氧化物,在高溫下其性質仍很穩(wěn)定;CeO2硬度高,?
阻隔元素擴散。1.2.2超導緩沖層的微觀結構特征最基本最常見的超導緩沖層材料CeO2為完整的螢石晶體結構。八個氧離子O2-位于晶胞內,四個鈰離子Ce4+分別處于面心及頂角位置。最典型的CeO2屬立方晶體,CaF2螢石結構,晶格常數a=b=c=0.5411nm[7]。其晶體結構中,Ce4+離子按照面心立方點陣排列,且每個Ce4+離子周圍被8個O2-離子包圍,而每個O2-離子周圍有4個Ce4+離子,且O2-離子占據由Ce4+離子構成的全部四面體空隙,由Ce4+離子構成的八面體空隙未被占據,存在大量八面體空隙[13]。螢石晶體結構如圖1-3所示,其中,白球代表陽離子A4+(如Ce4+),紅球代表O2-。圖1-3螢石(或CeO2)的晶體結構Fig.1-3Thecrystalstructureoffluorite(orCeO2)而緩沖層材料La2Zr2O7為典型的A2B2O7型燒綠石結構氧化物。許多報道都指出:當A2B2O7型氧化物中金屬陽離子半徑之比r(A3+)/r(B4+)=1.46~1.78時,A2B2O7形成有序排列的燒綠石結構;當r(A3+)/r(B4+)<1.46時,A2B2O7形成無序排列的缺陷螢石結構[14-18]。A2B2O7燒綠石結構的氧化物氧原子分別占據O48f(x,0.125,0.125)與O8b(0.375,
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Recent development of A2B2O7 system transparent ceramics[J]. Zhengjuan WANG,Guohong ZHOU,Danyu JIANG,Shiwei WANG. Journal of Advanced Ceramics. 2018(04)
[2]插入二氧化鈰薄膜提高MOD-YBa2Cu3O7-x厚膜超導性能的研究[J]. 丁發(fā)柱,古宏偉,王洪艷,屈飛,商紅靜,張慧亮,董澤斌,張賀,周微微. 物理學報. 2016(09)
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[9]燒綠石型復合氧化物的結構、制備及其光催化性能[J]. 唐新德,葉紅齊,馬晨霞,劉輝. 化學進展. 2009(10)
[10]燒綠石型復合氧化物結構及離子導電性[J]. 謝亞紅,劉瑞泉,王吉德,李志杰,鹿毅. 化學進展. 2005(04)
博士論文
[1]緩沖層外延生長及其與超導層的相互影響機制研究[D]. 王輝.陜西科技大學 2016
[2]陽離子摻雜稀土鋯酸鹽的有序無序轉變與電學性能研究[D]. 夏校良.哈爾濱工業(yè)大學 2011
[3]A2Zr2O7型稀土鋯酸鹽材料的組織結構與物理性能研究[D]. 劉占國.哈爾濱工業(yè)大學 2009
[4]YBCO高溫超導帶材的制備和實用化研究[D]. 熊杰.電子科技大學 2007
碩士論文
[1]化學溶液法制備La2Zr2O7過渡層厚膜及取向的研究[D]. 任程.北京工業(yè)大學 2015
[2]外延生長二氧化鈰薄膜及其阻變性能研究[D]. 張俊.北京有色金屬研究總院 2014
[3]低氟溶膠—凝膠法制備YBa2Cu3O7-δ薄膜的研究[D]. 雷黎.西安理工大學 2007
本文編號:2897065
【文章來源】:西安理工大學陜西省
【文章頁數】:58 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
YBCO超導體的晶體結構
西安理工大學碩士學位論文2因此而降低YBCO涂層導體的整體性能。所以緩沖層的研發(fā)就成了一項極為重要的任務。氧化鈰CeO2作為應用最多的緩沖層之一,已成為人們關注的焦點。此外,目前發(fā)展的超導緩沖層材料還有Y2O3、YSZ、MgO、NiO、SrTiO3、La2Zr2O7、Gd2Zr2O7、Gd2O3、Eu2O3等氧化物陶瓷[4,5]。1.2超導緩沖層的性能與結構1.2.1超導緩沖層的基本特性圖1-2為最常見的超導涂層導體的外部結構。超導涂層導體通常由最底層的金屬基帶、中間部分的緩沖層、緩沖層之上的YBCO超導層及頂部的保護層組成?捎米鞒瑢繉訉w金屬基帶的材料有鎳(Ni)及鎳合金(如Ni-Cr、Ni-W、Ni-V等合金),以此來滿足基帶要求的良好的機械性能及高溫穩(wěn)定性。基帶的作用是提供高度的雙軸織構,以獲得具有雙軸織構微觀組織的高性能YBCO帶材,進而提高其高溫超導性能;同時起支撐YBCO超導層的作用。圖1-2超導涂層導體的基本構造Fig.1-2Thebasicstructureofsuperconductingcoatedconductor緩沖層是由于兩層材料間存在晶格失配,用來實現應力釋放,以獲得較完美晶體質量的中間連接層。緩沖層有兩個主要作用:一是向YBCO超導層傳遞金屬基帶的織構以促使YBCO超導層按特定的c軸方向生長;二是阻隔金屬基帶與YBCO超導層間元素的互擴散,尤其是氧元素的擴散。緩沖層材料必須要有高度穩(wěn)定的化學與物理性質,以及對基底與超導層元素的隔離作用;同時還要求熱膨脹系數較小,且與基底和超導層的晶格匹配程度高等。另外,緩沖層還必須表面平整,粗糙度要求小,與金屬基帶附著性較好,這樣有利于超導層形核和生長。CeO2與YBCO的晶格失配率僅為0.12%[6];室溫及常壓下CeO2是Ce的最穩(wěn)定的化合物與氧化物,在高溫下其性質仍很穩(wěn)定;CeO2硬度高,?
阻隔元素擴散。1.2.2超導緩沖層的微觀結構特征最基本最常見的超導緩沖層材料CeO2為完整的螢石晶體結構。八個氧離子O2-位于晶胞內,四個鈰離子Ce4+分別處于面心及頂角位置。最典型的CeO2屬立方晶體,CaF2螢石結構,晶格常數a=b=c=0.5411nm[7]。其晶體結構中,Ce4+離子按照面心立方點陣排列,且每個Ce4+離子周圍被8個O2-離子包圍,而每個O2-離子周圍有4個Ce4+離子,且O2-離子占據由Ce4+離子構成的全部四面體空隙,由Ce4+離子構成的八面體空隙未被占據,存在大量八面體空隙[13]。螢石晶體結構如圖1-3所示,其中,白球代表陽離子A4+(如Ce4+),紅球代表O2-。圖1-3螢石(或CeO2)的晶體結構Fig.1-3Thecrystalstructureoffluorite(orCeO2)而緩沖層材料La2Zr2O7為典型的A2B2O7型燒綠石結構氧化物。許多報道都指出:當A2B2O7型氧化物中金屬陽離子半徑之比r(A3+)/r(B4+)=1.46~1.78時,A2B2O7形成有序排列的燒綠石結構;當r(A3+)/r(B4+)<1.46時,A2B2O7形成無序排列的缺陷螢石結構[14-18]。A2B2O7燒綠石結構的氧化物氧原子分別占據O48f(x,0.125,0.125)與O8b(0.375,
【參考文獻】:
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[9]燒綠石型復合氧化物的結構、制備及其光催化性能[J]. 唐新德,葉紅齊,馬晨霞,劉輝. 化學進展. 2009(10)
[10]燒綠石型復合氧化物結構及離子導電性[J]. 謝亞紅,劉瑞泉,王吉德,李志杰,鹿毅. 化學進展. 2005(04)
博士論文
[1]緩沖層外延生長及其與超導層的相互影響機制研究[D]. 王輝.陜西科技大學 2016
[2]陽離子摻雜稀土鋯酸鹽的有序無序轉變與電學性能研究[D]. 夏校良.哈爾濱工業(yè)大學 2011
[3]A2Zr2O7型稀土鋯酸鹽材料的組織結構與物理性能研究[D]. 劉占國.哈爾濱工業(yè)大學 2009
[4]YBCO高溫超導帶材的制備和實用化研究[D]. 熊杰.電子科技大學 2007
碩士論文
[1]化學溶液法制備La2Zr2O7過渡層厚膜及取向的研究[D]. 任程.北京工業(yè)大學 2015
[2]外延生長二氧化鈰薄膜及其阻變性能研究[D]. 張俊.北京有色金屬研究總院 2014
[3]低氟溶膠—凝膠法制備YBa2Cu3O7-δ薄膜的研究[D]. 雷黎.西安理工大學 2007
本文編號:2897065
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