目前頓悟?qū)?chuàng)造性問(wèn)題解決及記憶影響的研究,國(guó)內(nèi)外主要關(guān)注點(diǎn)在初次頓悟問(wèn)題解決對(duì)再解舊題的影響以及誘發(fā)頓悟?qū)εf問(wèn)題的促進(jìn)作用。但是對(duì)自發(fā)頓悟記憶促進(jìn)效應(yīng)的腦機(jī)制以及頓悟?qū)τ谛聠?wèn)題解決和記憶的作用還不清楚。本研究在前人基礎(chǔ)上,探討了自發(fā)頓悟?qū)τ谂f問(wèn)題記憶作用的腦機(jī)制以及頓悟?qū)π聞?chuàng)造性問(wèn)題解決和記憶的影響,進(jìn)一步闡明了頓悟體驗(yàn)在問(wèn)題解決和記憶中的作用及其心理和神經(jīng)機(jī)制。實(shí)驗(yàn)1a采用自發(fā)頓悟范式,以19名大學(xué)生為被試進(jìn)行ERP實(shí)驗(yàn),探討了自發(fā)頓悟在記憶優(yōu)勢(shì)效應(yīng)中的核心作用及其神經(jīng)機(jī)制。行為數(shù)據(jù)表明,相對(duì)于非頓悟條件,自發(fā)頓悟的再認(rèn)反應(yīng)時(shí)顯著較短,頓悟記憶優(yōu)勢(shì)效應(yīng)存在;問(wèn)題解決階段的ERP分析發(fā)現(xiàn),頓悟與非頓悟在問(wèn)題解決階段的N400波幅對(duì)其再認(rèn)表現(xiàn)做出了相反預(yù)測(cè),這說(shuō)明頓悟與非頓悟常規(guī)記憶編碼的腦機(jī)制不同,可能存在完全不同的編碼機(jī)制介導(dǎo)著頓悟與非頓悟項(xiàng)目的記憶編碼。再認(rèn)階段ERP分析發(fā)現(xiàn),頓悟誘發(fā)出新舊效應(yīng)(Old/New effect,ON),且頓悟與非頓悟的LPC波幅存在顯著差異,表明頓悟體驗(yàn)在再認(rèn)中起重要作用。實(shí)驗(yàn)1b以23名大學(xué)生為被試,同樣采用自發(fā)頓悟的范式,探討了頓悟體驗(yàn)對(duì)于后繼新創(chuàng)造性問(wèn)題解決及記憶的作用。結(jié)果表明,在問(wèn)題解決階段,相對(duì)于非頓悟條件,被試對(duì)于頓悟問(wèn)題解決后的下一個(gè)問(wèn)題的解決率更高,反應(yīng)時(shí)更快,情緒體驗(yàn)更強(qiáng);在再認(rèn)階段,相對(duì)于非頓悟條件,被試對(duì)頓悟問(wèn)題解決后的記憶效果更好。實(shí)驗(yàn)2以41名大學(xué)生為被試,采用誘發(fā)頓悟范式,探討了頓悟體驗(yàn)對(duì)于后繼創(chuàng)造性問(wèn)題解決及記憶的作用。結(jié)果表明,在問(wèn)題解決階段,頓悟體驗(yàn)組后續(xù)問(wèn)題的正確解題率顯著高于非頓悟組,且其反應(yīng)時(shí)顯著快于非頓悟組;在再認(rèn)階段,頓悟組后續(xù)問(wèn)題的正確再認(rèn)率亦顯著高于非頓悟組。另外,再認(rèn)測(cè)試時(shí),與非頓悟相比,頓悟組被試對(duì)成功解決問(wèn)題的判斷較為寬松。
【學(xué)位單位】：河北大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位年份】：2019
【中圖分類(lèi)】：B842
【部分圖文】：

圖 1 本實(shí)驗(yàn)共兩個(gè)階段，第一階段為問(wèn)題解決階段(Chinese RAT)，第二個(gè)階段為再認(rèn)階段(Testing Stage)。第一階段中讓被試解決遠(yuǎn)距離聯(lián)想測(cè)驗(yàn)。再認(rèn)階段讓被試進(jìn)行新舊再認(rèn)判斷。(3) EEG 記錄采用 Brain Products 公司的腦電記錄和分析系統(tǒng)，按國(guó)際 10 ～ 20 系統(tǒng)擴(kuò)展的 32導(dǎo)的銀/氯化銀電極帽記錄 EEG。在實(shí)驗(yàn)記錄時(shí)，本研究采用左側(cè)乳突 TP9 為參考電極，垂直眼電 (VEOG) 由位于右眼上下眶的電極記錄，水平眼電(HEOG)由右眼外側(cè) 1 厘米處安置的電極記錄。實(shí)驗(yàn)中，保證每個(gè)電極處的頭皮電阻保持在 5kΩ 以下。濾波帶寬為0.05 ～ 100Hz，連續(xù)采樣頻率為 500Hz/導(dǎo)。完成連續(xù)記錄 EEG 后離線(xiàn)處理數(shù)據(jù)，離線(xiàn)處理時(shí)以雙側(cè)乳突的平均值進(jìn)行重參考。采用 16Hz 低通濾波，自動(dòng)校正 VEOG 和 HEOG，運(yùn)動(dòng)偽跡和其他偽跡所引起的腦電電壓超過(guò)±80μV 的腦電事件被自動(dòng)剔除。(4)數(shù)據(jù)處理采用 SPSS24.0 以及 Brain Products 等對(duì)行為數(shù)據(jù)及腦電結(jié)果進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。

圖 2 自發(fā)頓悟與非頓悟再認(rèn)時(shí)的反應(yīng)時(shí)及擊中率差異(y 軸分別代表反應(yīng)時(shí)(s)和正確率)P 分析將分析時(shí)程主要分為兩個(gè)階段，問(wèn)題解決階段和再認(rèn)階段。問(wèn)題

36) = 3.97, p < 0.05, = 0.18。對(duì)問(wèn)題解決的晚期階段進(jìn)行分析(圖3)，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在-800~-400 ms 有顯著的半球主效應(yīng)，F(xiàn) (2,36) = 20.72, p < 0.001, =0.535，右側(cè)半球的平均波幅顯著高于左側(cè)和中部，p < 0.001; p < 0.01，并且中部半球的平均波幅也顯著高于左側(cè)半球，p < 0.05。區(qū)域和半球之間存在顯著的交互作用，F(xiàn) (4,72)=7.24, p < 0.001, =0.287。事后檢驗(yàn)表明：在前額葉區(qū)域，右側(cè)半球的平均電壓顯著高于中部和左側(cè)半球，p < 0.001，中部半球的平均電壓也顯著高于左側(cè)半球，p < 0.05；然而在中央?yún)^(qū)
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