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細胞外基質(zhì)預防氧化應激誘導干細胞早衰的機制研究

發(fā)布時間:2025-05-01 09:02
  [目的]:臍帶間充質(zhì)干細胞(umbilical-cord derived mesenchymal stem cells,UC-MSCs)可以通過便捷無害的方法獲得,在體外可長期傳代培養(yǎng),在再生治療領域有廣泛的應用前景。在體內(nèi),干細胞生長在細胞外基質(zhì)(extracelluarmatrix,ECM)中,而脫離了體內(nèi)生長微環(huán)境后,干細胞受到體外各種不利因素的影響下容易發(fā)生過早衰老,極大地降低了干細胞的實際應用效果。脫細胞的細胞外基質(zhì)(decelluarizedextracelluarmatrix,DECM)能夠在體外模擬干細胞的體內(nèi)生長微環(huán)境。人紅系衍生的核因子-2(nuclear factor erythroi d-2-related factor 2,NRF-2)調(diào)控細胞內(nèi)環(huán)境穩(wěn)態(tài)和抗衰老相關基因表達。本課題旨在研究DECM是否能夠通過NRF-2來防止過氧化氫(hydrogen peroxid,H2O2)造成的UC-MSCs早衰。[研究方法]:首先確定200 μM是適合誘導UC-MSCs早衰的H2O2亞致死濃度。分別使用普通組織培養(yǎng)聚苯乙烯(tissue culture polystyre...

【文章頁數(shù)】:85 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

圖2:?H2〇2對UC-MSCs增殖能力的影響

圖2:?H2〇2對UC-MSCs增殖能力的影響

結(jié)果?細胞外基質(zhì)預防氧化應激誘導干細胞早衰的機制研宄??結(jié)果??3.1檢測H202對UC-MSCs衰老的影響??為了檢測吐02對UC-MSCs增殖能力的影響,我們首先將UC-MSCs按照1000??個細胞/cm2的密度接種在普通96孔板中,待貼細胞密度達到50%左右時,以100?....


圖3:在H2〇2造成的細胞氧化應激微環(huán)境中,以不同濃度H2〇2?(10〇nM,?20〇mM,400^M)??預處理UC-MSCs,以aMEM(10°/〇FBS,lOOU/mL青霉素,lOOjxg/mL鏈霉素)培養(yǎng)作為對照??組,在預處理后72小時后進行流式細胞術分析

圖3:在H2〇2造成的細胞氧化應激微環(huán)境中,以不同濃度H2〇2?(10〇nM,?20〇mM,400^M)??預處理UC-MSCs,以aMEM(10°/〇FBS,lOOU/mL青霉素,lOOjxg/mL鏈霉素)培養(yǎng)作為對照??組,在預處理后72小時后進行流式細胞術分析

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圖4:在H2〇2造成的細胞氧化應激微環(huán)境中,以不同濃度H2〇2(1〇〇^M,?200^M,400pM)??預處理UC-MSCs,以aMEM?(10%FBS,?100U/mL青霉素,10〇ng/mL鏈霉素)培養(yǎng)作為對照??

圖4:在H2〇2造成的細胞氧化應激微環(huán)境中,以不同濃度H2〇2(1〇〇^M,?200^M,400pM)??預處理UC-MSCs,以aMEM?(10%FBS,?100U/mL青霉素,10〇ng/mL鏈霉素)培養(yǎng)作為對照??

細胞外基質(zhì)預防氧化應激誘導干細胞早衰的機制研宄?結(jié)果??±1.39%,較200?_組沒有進一步上調(diào),且貼壁細胞較別組明顯減少。??(A)?(B)??CTRL??^???100?(IM?200?mM?400?uM??_?麵一—_??dapi?m?m?§?i?1?-??H?■■■■■....


圖5:對UC-MSCs來源的DECM材料形態(tài)分析

圖5:對UC-MSCs來源的DECM材料形態(tài)分析

結(jié)果?細胞外基質(zhì)預防氧化應激誘導干細胞早衰的機制研究??(A)?(B)??.?■'??、々:\?<、,八入\/???,?'、:':i?:…?'?c?1?,???/?,??:二;??'■?*t??????圖5:對UC-MSCs來源的DECM材料形態(tài)分析。(A)在光學顯微鏡下觀察,D....



本文編號:4042012

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