考慮電磁輻射對(duì)神經(jīng)元放電活動(dòng)的影響有著重要的現(xiàn)實(shí)意義.通過(guò)引入磁通變量來(lái)描述外界電磁輻射對(duì)膜電位的作用,建立了磁通e-HR神經(jīng)元模型,并詳細(xì)探討該系統(tǒng)的放電特征和分岔模式.基于Matcont軟件編程仿真的方法,研究了磁通e-HR神經(jīng)元模型的Hopf分岔行為和共存放電區(qū)間,并發(fā)現(xiàn)該系統(tǒng)具有隱藏放電行為.此外,通過(guò)分析雙參數(shù)平面上分岔行為,發(fā)現(xiàn)該系統(tǒng)存在倍周期、逆倍周期、伴有混沌加周期和無(wú)混沌加周期等分岔模式.從而為深入了解磁通神經(jīng)元隱藏放電的產(chǎn)生和分岔行為提供了有益的探討. 

【文章來(lái)源】：云南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2020,42(04)北大核心CSCD

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【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3164001