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ADS相關核數(shù)據(jù)實驗研究進展

發(fā)布時間:2021-12-19 05:05
  本文簡要介紹了中國科學院近代物理研究所ADS相關核數(shù)據(jù)實驗研究進展.基于蘭州重離子加速器冷卻儲存環(huán)(HIRFL-CSR)搭建了核數(shù)據(jù)實驗測量終端,建立中子飛行時間譜儀、輕帶電粒子譜儀和水浴活化等實驗裝置,并開展了一系列ADS關鍵材料的核數(shù)據(jù)實驗研究,包括400 MeV/u 16O離子束轟擊鎢靶和鉛靶的實驗, 296 MeV氘束轟擊鉛靶和厚鈹靶的實驗,以及250 MeV質子轟擊厚鎢靶和厚鉛靶的水浴活化實驗.實驗測量主要研究了ADS散裂反應相關的中子產(chǎn)額、能譜、雙微分截面等數(shù)據(jù).另一方面,基于中國原子能科學研究院核數(shù)據(jù)重點實驗室的中子積分實驗裝置,開展了ADS靶堆耦合相關材料鎵、石墨、碳化硅、鎢、鈾等樣品的積分實驗,檢驗了ENDF/B-VII.1, CENDL-3.1, JENDL-4.0, JEFF-3.2及TENDL-2015等數(shù)據(jù)庫中相關材料的中子評價數(shù)據(jù). 

【文章來源】:中國科學:物理學 力學 天文學. 2020,50(05)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】:12 頁

【部分圖文】:

ADS相關核數(shù)據(jù)實驗研究進展


(網(wǎng)絡版彩圖)核數(shù)據(jù)實驗終端裝置示意圖

截面圖,微分,截面,飛行時間法


實驗利用飛行時間法測量了296 MeV氘束轟擊厚鈹靶和薄鉛靶在0?,10?,20?和35?方向的出射中子能譜及雙微分截面,同時測量了氘在厚鈹靶中布拉格峰的位置.圖4是實驗測量得到的10?方向出射中子的雙微分截面與理論計算結果的比較.利用GEANT4程序中的INCL,BIC模型,MCNPX程序中的INCL,CEM模型及QMD理論模型的計算結果顯示,GEANT4和MCNPX使用的INCL模型計算結果與實驗數(shù)據(jù)符合較好.圖3(網(wǎng)絡版彩圖)400 MeV/u 16O轟擊鎢靶和鉛靶出射輕帶電粒子p,d,t,4He角分布

截面圖,粒子,微分,截面圖


圖2(網(wǎng)絡版彩圖)400 Me V/u 16O轟擊鎢靶(a)和鉛靶(b)出射中子雙微分截面圖4(網(wǎng)絡版彩圖)296 MeV氘束轟擊鉛靶出射中子雙微分截面

【參考文獻】:
期刊論文
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本文編號:3543816

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