設計了用于中性粒子標定源的聚焦系統(tǒng).利用三維電磁仿真軟件CST對束流在中性粒子標定源中的輸運情況進行了模擬,研究了單透鏡與加速管之間的距離、聚焦電壓和加速電壓的改變對束流軌跡的影響.在離子源測試裝置上利用塑料閃爍體對束流剖面進行了初步測定,測試結果與模擬計算相符合.文中得到的數(shù)據(jù)對中性粒子分析器的標定具有重要參考價值. 

【文章來源】：四川大學學報(自然科學版). 2020,57(01)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

中性粒子標定源框圖

在實驗過程中,取引出電壓Ui=3 kV,通過將聚焦電壓U在2.8～3.5 kV范圍內(nèi)調(diào)節(jié)來觀察束流的聚焦情況,并利用相機記錄了束斑的形狀. 如圖8所示,圖8(a)～(c)是電壓Ui=3 kV的引出束流分別在2.9、 3.2和3.4 kV聚焦電壓下打到塑料閃爍體上的發(fā)光情況.從圖8中可以看出束流具有明顯的聚焦. 由圖6中的模擬結果可知,電壓Ui=3 kV的引出束流在2.9、 3.2和3.4 kV的聚焦電壓下分別可以得到R為9.6、 5.2和8.3 mm的束斑.通過將圖8中的束斑圖像與圖6中的模擬數(shù)據(jù)進行對比,發(fā)現(xiàn)實驗結果與模擬數(shù)據(jù)吻合較好,表明模擬計算是可靠的.

本文利用CST對中性粒子標定源的聚焦系統(tǒng)進行了建模,針對不同的極板間距、極板電壓進行了仿真,通過分析確定不同參數(shù)的改變對束流傳輸?shù)挠绊? 圖2是中性粒子標定源的仿真模型,A是離子源的引出電極,B是單透鏡的中間聚焦電極,C是加速管電極,D是電四極透鏡電極;其電壓分別為Ui(引出電壓)、U(聚焦電壓)、Uc(加速電壓)和Ud(四極透鏡電壓),d是單透鏡與加速管之間的距離.3.1.1間距d的選取


本文編號：3388610